[發(fā)明專利]一種多晶硅太陽能電池片的制絨方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211082654.4 | 申請日： | 2022-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN115394639A | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊肖波 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江中晶新能源股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/3063;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 杭州中利知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33301 | 代理人： | 盧海龍 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉興市海鹽縣西塘*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 太陽能電池 方法 | ||
1.一種多晶硅太陽能電池片的制絨方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、利用酸蝕刻法進行多晶硅制絨
步驟一：配置原理：氟化氫10-25％，硝酸30-55％，硅氟酸3-8％，乙酸0.13-1％，鹽酸4-9％，氫氟酸10-15％，若干份水，將上述原料進行混合；
步驟二：硝酸與氟化氫進行混合太陽能多硅電池片進行第一次制絨；
步驟三：再次利用硝酸與氟化氫進行混合太陽能多硅電池片進行第二次制絨，且第二次制絨的溶液濃度小于第一制絨溶液濃度；
步驟四：將多晶硅太陽能電池片放置在配置好的混合溶液中進行氧化，形成厚度為1-1.3nm的二氧化硅層；
步驟五：在二氧化硅層表面涂抹腐蝕原料，進行靜置，最后進行清洗、烘干，除去二氧化硅層。
S2、利用電化學制絨方法進行多晶硅制絨；
步驟一：將多晶硅片置于電解槽中，利用聚焦激光束對多晶硅片表面進行掃描，再進行電解，激光束的掃描使多晶硅片表面形成陣列光陷阱結(jié)構(gòu)，電解液對多晶硅片表面產(chǎn)生電化學腐蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅太陽能電池片的制絨方法，其特征在于：所述第一次制絨硝酸與氟化氫濃度比為12：2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅太陽能電池片的制絨方法，其特征在于：所述第二制絨硝酸與氟化氫濃度比為9：1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅太陽能電池片的制絨方法，其特征在于：所述靜置時間為5-8分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅太陽能電池片的制絨方法，其特征在于：所述第一制絨和第二制絨硝酸和氟化氫混合液的溫度為5-23℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅太陽能電池片的制絨方法，其特征在于：所述電解液為堿性溶液，pH酸堿度為11-13。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
