[發明專利]一種用于檢測和傳輸樣品的裝置和方法在審
| 申請號: | 202211082643.6 | 申請日: | 2022-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN115629519A | 公開(公告)日: | 2023-01-20 |
| 發明(設計)人: | 熊金磊;溫興達;戴依熳;劉紅星 | 申請(專利權)人: | 睿勵科學儀器(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/84 | 分類號: | G03F1/84;H01L21/66;B65G47/74 |
| 代理公司: | 北京啟坤知識產權代理有限公司 11655 | 代理人: | 李琛 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 檢測 傳輸 樣品 裝置 方法 | ||
本申請實施例的目的是提供一種用于檢測和傳輸樣品的裝置和方法。本申請實施例的裝置包括檢測腔室組件、過渡腔室組件和放料腔室組件;其中,所述檢測腔室組件包括真空腔部分、光學部分和運動平臺;其中,所述過渡腔室組件包括腔室氣路部分和傳輸部分;其中,所述放料腔室組件包括放料腔室殼體和樣品放置支架。本申請實施例具有以下優點:能夠提供高潔凈度的檢測環境,保證樣品的高潔凈度,從而適應EUV Pellicle對檢測環境的高要求;能夠靈活地在多個腔室之間傳輸樣品,相比傳統的EUV Pellicle檢測方案進一步提升了EUV Pellicle檢測的效率和準確度。
技術領域
本發明涉及半導體領域,尤其涉及一種用于檢測和傳輸樣品的裝置和方法。
背景技術
隨著泛半導體設備加工特征尺寸的不斷縮小,如晶圓加工的關建尺寸、面板加工過程的分辨率等,樣品在加工或量測過程中,對于其附近的溫度、潔凈度等環境控制要求越來越高。
隨著半導體加工領域中光刻工藝節點由14nm、7nm進一步向5nm、3nm方向的發展,主流的極深紫外線(Extreme Ultraviolet Lithography,EUV)光刻機對光罩(mask)的薄膜(Pellicle)的諸如潔凈度、透射性、反射性等相關性能的要求越來越高。并且,由于EUV光線本身光學特性,要求檢測環境需為高真空,以降低損失。因此,對于Pellicle透射性、反射性的加工質檢、來料檢測及定期檢測,顯得尤為重要。
現有技術中常規的EUV Pellicle檢測方案包括:
方案一:低級別光線檢測;該方式檢測偏差大。
方案二:單光學真空檢測腔室;該方式潔凈度難保證、效率低。
發明內容
本申請實施例的目的是提供一種用于檢測和傳輸樣品的裝置和方法。
本申請實施例提供了一種用于檢測和傳輸樣品的裝置,其特征在于,所述裝置包括檢測腔室組件、過渡腔室組件和放料腔室組件;
其中,所述檢測腔室組件包括真空腔部分、光學部分和運動平臺;所述真空腔部分包括真空腔室殼體、抽真空部分、氣源部分、第一傳輸門閥和第一壓力傳感器;所述光學部分包括對準裝置、反射鏡、反射鏡調整架、第一檢測傳感器和第二檢測傳感器;所述運動平臺部分包括薄膜卡盤和運動電機組件;
其中,所述過渡腔室組件包括腔室氣路部分和傳輸部分;所述腔室氣路部分包括過渡腔室殼體、抽氣部分、填氣部分、第二傳輸門閥和第二壓力傳感器;
其中,所述放料腔室組件包括放料腔室殼體和樣品放置支架。
根據一個實施例,所述真空腔室殼體、過渡腔室殼體、和放料腔室殼體包括至少一個顆粒吸附裝置,所述顆粒吸附裝置用于吸附氣體中的顆粒。
根據一個實施例,所述氣源部分和抽氣部分中的至少一個包括一個或多個過濾裝置,所述一個或多個過濾裝置用于對氣體進行過濾。
根據一個實施例,獲得第一壓力傳感器和第二壓力傳感器的壓力信息的方式包括:
通過第一壓力傳感器和第二壓力傳感器包含的表盤來獲得壓力信息;
通過外線纜獲得所述第一壓力傳感器和第二壓力傳感器的壓力信息。
根據一個實施例,其特征在于,所述對準裝置包括一個或多個視覺或光學對準裝置。
根據一個實施例,所述傳輸部分為機械手。
根據一個實施例,所述放料腔組件包括用于打開或關閉腔室蓋板的開合鎖,該開合鎖為自動或手動。
根據一個實施例,所述樣品放置支架包括用于檢測樣品的傳感器,用于檢測是否放置樣品以及樣品是否放置到位。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





