[發明專利]一種增強硅片清洗效果的方法

在審

• 申請號: 202211081220.2
• 申請日: 2022-09-05
• 公開（公告）號: CN115582338A
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 馬愛;洪漪
• 申請（專利權）人: 上海中欣晶圓半導體科技有限公司
• 主分類號: B08B3/04
• 分類號: B08B3/04;B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67
• 代理公司: 上海申浩律師事務所 31280
• 代理人: 趙建敏

本發明提供了一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟一，將預清洗的硅片放入第一上料槽，第一上料槽的水位浸沒硅片，第一上料槽的進水方向與硅片的移動方向相反；步驟二，硅片進入第二上料槽，第二上料槽的水位高于第一上料槽的水位，第二上料槽內的純水溢流到第一上料槽，形成二級溢流，第二上料槽的進水方向與硅片的移動方向相反；步驟三，硅片依次經過處理槽、下料槽，并最后進行甩干。本發明通過將原先1個上料槽由1個大槽改設計為2個槽，硅片先進第一上料槽，再進第二上料槽，除保留原鼓泡和溢流的功能外，另外增加逆流漂洗和二級溢流功能。逆流漂洗：傳統的進水方式是一根進水管從槽上方直接注入到槽內。

技術領域

本發明涉及硅片處理技術領域，具體涉及一種增強硅片清洗效果的方法。

背景技術

為提高硅片表面的潔凈度，在硅片加工過程中會設計多道清洗，通常的清洗流程依次是上料槽、處理槽、下料槽、甩干。上料槽通常是一個純水槽，用來預清洗硅片，該槽一般配有鼓泡和溢流功能，清洗效果受鼓泡和純水溢流流量的影響，清洗效果有限。原上料槽示意圖見圖1。

發明內容

本發明是為解決上述技術問題而進行的，通過改良清洗方法，兼顧了顆粒問題又不會破壞邊緣氧化層，提供了一種增強硅片清洗效果的方法。

為了實現上述目的，本發明所采用的技術方案如下：

本發明提供了一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，將預清洗的硅片放入第一上料槽，第一上料槽的水位浸沒硅片，第一上料槽的進水方向與硅片的移動方向相反；

步驟二，硅片進入第二上料槽，第二上料槽的水位高于第一上料槽的水位，第二上料槽內的純水溢流到第一上料槽，形成二級溢流，第二上料槽的進水方向與硅片的移動方向相反；

步驟三，硅片依次經過處理槽、下料槽，并最后進行甩干。

本發明通過將原先1個上料槽由1個大槽改設計為2個槽，硅片先進第一上料槽，再進第二上料槽，除保留原鼓泡和溢流的功能外，另外增加逆流漂洗和二級溢流功能。逆流漂洗：傳統的進水方式是一根進水管從槽上方直接注入到槽內。逆流漂洗是將進水管延長至槽底，且進水方向和硅片移動方向相反，使注入的純水到達沖洗硅片表面的效果。二級溢流是將第二上料槽較潔凈的純水溢流至1槽，既保證了硅片清洗效果又節約了純水。

進一步優選，所述步驟一中通過機械手將硅片放入第一上料槽內，并鼓泡溢流或超聲波清洗4-5分鐘。

進一步優選，所述第一上料槽的后端部和所述第二上料槽的后端部設有進水管，所述進水管呈L形，所述進水管的一側開口朝上，所述進水管的另一側開口位于底部。

進水方向和硅片移動方向相反，達到逆流漂洗的作用。

進一步優選，所述進水管設有四根，且呈矩陣式排布在所述第一上料槽和所述第二上料槽中。

進一步優選，位于第一上料槽中的進水管長度大于位于第二上料槽中的進水管長度。

進一步優選，所述第一上料槽與所述第二上料槽位于一槽體中，且所述槽體內設有一隔板將槽體分為第一上料槽和第二上料槽，所述第一上料槽的體積大于所述第二上料槽的體積，所述隔板的高度小于所述槽體的深度。

本發明優化隔板的高度從而能夠將第二上料槽中的上層純水引入到第一上料槽中從而起到了節約成本的效果。

進一步優選，所述第一上料槽的左側板上開設有多個溢流孔，且所述溢流孔位于側板的上端部。

便于將第一上料槽中的純水溢流出去。

附圖說明

圖1為原清洗方法結構示意圖；

圖2為本發明的清洗流程圖；