[發明專利]一種增強硅片清洗效果的方法

在審

• 申請號: 202211081220.2
• 申請日: 2022-09-05
• 公開（公告）號: CN115582338A
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 馬愛;洪漪
• 申請（專利權）人: 上海中欣晶圓半導體科技有限公司
• 主分類號: B08B3/04
• 分類號: B08B3/04;B08B3/10;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67
• 代理公司: 上海申浩律師事務所 31280
• 代理人: 趙建敏

1.一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，將預清洗的硅片放入第一上料槽，第一上料槽的水位浸沒硅片，第一上料槽的進水方向與硅片的移動方向相反；

步驟二，硅片進入第二上料槽，第二上料槽的水位高于第一上料槽的水位，第二上料槽內的純水溢流到第一上料槽，形成二級溢流，第二上料槽的進水方向與硅片的移動方向相反；

步驟三，硅片依次經過處理槽、下料槽，并最后進行甩干。

2.根據權利要求1所述的一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述步驟一中通過機械手將硅片放入第一上料槽內，并鼓泡溢流或超聲波清洗4-5分鐘。

3.根據權利要求1所述的一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述第一上料槽的后端部和所述第二上料槽的后端部設有進水管，所述進水管呈L形，所述進水管的一側開口朝上，所述進水管的另一側開口位于底部。

4.根據權利要求3所述的一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述進水管設有四根，且呈矩陣式排布在所述第一上料槽和所述第二上料槽中。

5.根據權利要求4所述的一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于：位于第一上料槽中的進水管長度大于位于第二上料槽中的進水管長度。

6.根據權利要求1所述的一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述第一上料槽與所述第二上料槽位于一槽體中，且所述槽體內設有一隔板將槽體分為第一上料槽和第二上料槽，所述第一上料槽的體積大于所述第二上料槽的體積，所述隔板的高度小于所述槽體的深度。

7.根據權利要求6所述的一種增強硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述第一上料槽的左側板上開設有多個溢流孔，且所述溢流孔位于側板的上端部。