[發(fā)明專利]一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211081093.6
• 申請日: 2022-09-05
• 公開（公告）號: CN115376932A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發(fā)明（設計）人: 李凱;劉衛(wèi)東
• 申請（專利權(quán)）人: 華天科技（南京）有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/492;H01L25/04
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 黃小雪

本發(fā)明公開了一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法，包括以下步驟：步驟一、將TSV芯片按來料厚度進行減薄和劃片；步驟二、FCA抓取TSV芯片DieⅠ通過Bump球貼基板；步驟三、將TSV芯片DieⅠ和轉(zhuǎn)接TSV基板的銅通孔內(nèi)填充基板TSV銅形成銅柱；步驟四、TSV芯片DieⅠ內(nèi)的銅柱和基板上的Bump球和轉(zhuǎn)接TSV基板下層的Bump球?qū)B接，轉(zhuǎn)接TSV基板的銅柱分別和芯片DieⅡ和芯片DieⅢ的管腳對應連接。本發(fā)明增加芯片數(shù)量從而增加產(chǎn)品的容量，但是不會導致芯片厚度增加，實現(xiàn)橫向多芯片堆疊方向的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法。

背景技術(shù)

DDR5 3DS TSV技術(shù)可以實現(xiàn)豎直方向垂直堆疊，在芯片尺寸比較大情況下，沒法實現(xiàn)橫向多芯片堆疊方向。芯片尺寸較大情況下，普通倒裝工藝沒法實現(xiàn)垂直堆疊，平鋪局限于單顆尺寸；3DS TSV工藝可以垂直堆疊，但是只能一顆芯片垂直堆疊一顆，沒法實現(xiàn)一顆上面垂直平鋪堆疊多顆芯片。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片尺寸比較大情況下，沒法實現(xiàn)橫向多芯片堆疊方向的問題。

本發(fā)明一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法，包括以下步驟：

步驟一、將TSV芯片按來料厚度進行減薄和劃片，將TSV芯片DieⅠ、芯片DieⅡ、芯片DieⅢ切割成單顆芯片；

步驟二、FCA即倒裝貼芯片抓取TSV芯片DieⅠ通過Bump球貼基板；

步驟三、將有銅通孔和植有Bump球的TSV芯片DieⅠ和轉(zhuǎn)接TSV基板經(jīng)過切割工序切割成單顆，TSV芯片DieⅠ和轉(zhuǎn)接TSV基板的銅通孔內(nèi)填充基板TSV銅形成銅柱；

步驟四、TSV芯片DieⅠ內(nèi)的銅柱和基板上的Bump球和轉(zhuǎn)接TSV基板下層的Bump球?qū)B接，轉(zhuǎn)接TSV基板的銅柱分別和芯片DieⅡ和芯片DieⅢ的管腳對應連接。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，所述步驟一中TSV芯片減薄的厚度為40～50um。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，所述步驟三中轉(zhuǎn)接TSV基板上的芯片可設兩個以上。

作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，所述步驟一中芯片DieⅡ、芯片DieⅢ上層繼續(xù)堆疊芯片，則在芯片DieⅡ、芯片DieⅢ上設銅通孔結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法，通過基板在對應芯片Bump位置基板開通孔灌注銅從而實現(xiàn)轉(zhuǎn)接芯片，增加芯片數(shù)量從而增加產(chǎn)品的容量，不會導致芯片厚度增加。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的方案示意圖；

圖2為圖1的俯視圖；

圖中，1、基板；2、Bump球；3、TSV芯片DieⅠ；4、轉(zhuǎn)接TSV基板；5、基板TSV銅；6、管腳；7、芯片DieⅡ；8、芯片DieⅢ。

具體實施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發(fā)明保護的范圍。