[發(fā)明專利]一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211081093.6
• 申請日: 2022-09-05
• 公開（公告）號: CN115376932A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李凱;劉衛(wèi)東
• 申請（專利權(quán)）人: 華天科技（南京）有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/492;H01L25/04
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 黃小雪

1.一種基板開銅通孔的增加芯片疊芯的TSV封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將TSV芯片按來料厚度進(jìn)行減薄和劃片，將TSV芯片DieⅠ(3)、芯片DieⅡ(7)、芯片DieⅢ(8)切割成單顆芯片；

步驟二、FCA即倒裝貼芯片抓取TSV芯片DieⅠ(3)通過Bump球(2)貼基板(1)；

步驟三、將有銅通孔和植有Bump球(2)的TSV芯片DieⅠ(3)和轉(zhuǎn)接TSV基板(4)經(jīng)過切割工序切割成單顆，TSV芯片DieⅠ(3)和轉(zhuǎn)接TSV基板(4)的銅通孔內(nèi)填充基板TSV銅(5)形成銅柱；

步驟四、TSV芯片DieⅠ(3)內(nèi)的銅柱和基板(1)上的Bump球(2)和轉(zhuǎn)接TSV基板(4)下層的Bump球(2)對應(yīng)連接，轉(zhuǎn)接TSV基板(4)的銅柱分別和芯片DieⅡ(7)和芯片DieⅢ(8)的管腳(6)對應(yīng)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟一中TSV芯片減薄的厚度為40～50um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟三中轉(zhuǎn)接TSV基板(4)上的芯片可設(shè)兩個以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟一中芯片DieⅡ(7)、芯片DieⅢ(8)上層繼續(xù)堆疊芯片，則在芯片DieⅡ(7)、芯片DieⅢ(8)上設(shè)銅通孔結(jié)構(gòu)。