[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211079136.7
• 申請(qǐng)日: 2022-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN116525665A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 祁金偉;劉倩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京科慧致遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11739
• 代理人: 王乾旭

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制備方法。半導(dǎo)體器件包括：第一摻雜類型的漂移區(qū)；第二摻雜類型的阱區(qū)，形成在所述漂移區(qū)之上，所述阱區(qū)和所述漂移區(qū)上下相鄰設(shè)置；第一柵極溝槽，貫穿所述阱區(qū)且向下伸入到所述漂移區(qū)內(nèi)；第一柵氧化層，形成在所述第一柵極溝槽內(nèi)且所述第一柵氧化層的下端伸入到所述漂移區(qū)內(nèi)；第二摻雜類型的柱區(qū)，形成在所述漂移區(qū)內(nèi)，所述柱區(qū)的上部分與所述第一柵氧化層連接，且所述柱區(qū)與所述阱區(qū)被所述漂移區(qū)和所述第一柵氧化層隔開；第一柵極，形成在所述第一柵氧化層之上。本申請(qǐng)實(shí)施例解決了傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)復(fù)雜制造成本高的技術(shù)問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制備方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的SJ-IGBT器件的結(jié)構(gòu)，如圖1所示，1是P-集電區(qū)，2是N-漂移區(qū)，3是P型超級(jí)結(jié)區(qū)域，4是第二次外延，5是柵氧化層，6是柵極，7是Pwell，8是N+發(fā)射極，9是介質(zhì)層，10是發(fā)射極金屬，11是P+集電極，12是集電極金屬。

傳統(tǒng)超級(jí)結(jié)工藝先進(jìn)行第一次外延生長(zhǎng)，然后挖槽填充P型材料形成P型超級(jí)結(jié)區(qū)域，在超級(jí)結(jié)區(qū)域上表面再在長(zhǎng)第二次外延生長(zhǎng)，然后挖柵極溝槽形成柵氧化層和柵極，離子注入形成Pwell與N+發(fā)射極，刻蝕金屬接觸孔等。

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)復(fù)雜制造成本高，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需要解決的技術(shù)問題。

在背景技術(shù)中公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本申請(qǐng)的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制備方法，以解決傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)復(fù)雜制造成本高的技術(shù)問題。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一摻雜類型的漂移區(qū)；

第二摻雜類型的阱區(qū)，形成在所述漂移區(qū)之上，所述阱區(qū)和所述漂移區(qū)上下相鄰設(shè)置；

第一柵極溝槽，貫穿所述阱區(qū)且向下伸入到所述漂移區(qū)內(nèi)；

第一柵氧化層，形成在所述第一柵極溝槽內(nèi)且所述第一柵氧化層的下端伸入到所述漂移區(qū)內(nèi)；

第二摻雜類型的柱區(qū)，形成在所述漂移區(qū)內(nèi)，所述柱區(qū)的上部分與所述第一柵氧化層連接，且所述柱區(qū)與所述阱區(qū)被所述漂移區(qū)和所述第一柵氧化層隔開；

第一柵極，形成在所述第一柵氧化層之上。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括如下步驟：

在第二摻雜類型的襯底上表面注入或擴(kuò)散第一摻雜類型的雜質(zhì)形成第一摻雜類型的外延層；

自外延層上表面向下進(jìn)行挖槽，形成柱區(qū)溝槽；

在柱區(qū)溝槽填充第二摻雜類型的材料；

進(jìn)行挖槽，形成第一柵極溝槽，所述第一柵極溝槽自第二摻雜類型的材料的上表面向下延伸，其中，未被挖掉的第二摻雜類型材料作為柱區(qū)。

本申請(qǐng)實(shí)施例由于采用以上技術(shù)方案，具有以下技術(shù)效果：