[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202211079136.7
• 申請日: 2022-09-05
• 公開（公告）號: CN116525665A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 祁金偉;劉倩
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京科慧致遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11739
• 代理人: 王乾旭

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

第一摻雜類型的漂移區(qū)(2)；

第二摻雜類型的阱區(qū)(6)，形成在所述漂移區(qū)(2)之上，所述阱區(qū)(6)和所述漂移區(qū)(2)上下相鄰設(shè)置；

第一柵極溝槽，貫穿所述阱區(qū)(6)且向下伸入到所述漂移區(qū)(2)內(nèi)；

第一柵氧化層(41)，形成在所述第一柵極溝槽內(nèi)且所述第一柵氧化層(41)的下端伸入到所述漂移區(qū)(2)內(nèi)；

第二摻雜類型的柱區(qū)(3)，形成在所述漂移區(qū)(2)內(nèi)，所述柱區(qū)(3)的上部分與所述第一柵氧化層(41)連接，且所述柱區(qū)(3)與所述阱區(qū)(6)被所述漂移區(qū)(2)和所述第一柵氧化層(41)隔開；

第一柵極(51)，形成在所述第一柵氧化層(41)之上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述柱區(qū)(3)的下端與所述漂移區(qū)(2)的下表面之間具有預(yù)設(shè)距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，一個(gè)所述柱區(qū)對應(yīng)一個(gè)第一柵極溝槽，對應(yīng)的，一個(gè)所述柱區(qū)對應(yīng)一個(gè)所述第一柵氧化層；

所述柱區(qū)的上端面僅和與之對應(yīng)的所述第一柵氧化層的下端面連接，所述柱區(qū)的側(cè)面和下端面僅與漂移區(qū)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在半導(dǎo)體器件的橫向方向上，所述第一柵極溝槽的尺寸大于所述柱區(qū)(3)的尺寸，對應(yīng)的，所述第一柵氧化層(41)的尺寸大于所述柱區(qū)(3)的尺寸；

其中，半導(dǎo)體器件的橫向方向?yàn)榘雽?dǎo)體器件中柱區(qū)的排列方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在半導(dǎo)體器件的寬度方向上，所述第一柵極溝槽的尺寸大于等于所述柱區(qū)(3)的尺寸，所述第一柵氧化層(41)的尺寸大于等于所述柱區(qū)(3)的尺寸；

其中，半導(dǎo)體器件的寬度方向?yàn)榘雽?dǎo)體器件中單個(gè)柱區(qū)的延伸方向。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，一個(gè)所述柱區(qū)對應(yīng)兩個(gè)相鄰的第一柵極溝槽，與同一柱區(qū)對應(yīng)的兩個(gè)第一柵極溝槽之間被所述柱區(qū)的一部分填充滿，對應(yīng)的，一個(gè)所述柱區(qū)對應(yīng)兩個(gè)所述第一柵氧化層；

所述柱區(qū)和與之對應(yīng)的兩個(gè)所述第一柵氧化層連接，且同一個(gè)柱區(qū)連接的兩個(gè)第一柵氧化層之間為柱區(qū)的一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在半導(dǎo)體器件的橫向方向上，所述柱區(qū)(3)的尺寸小于與之連接的兩個(gè)第一柵氧化層外緣之間的尺寸；

其中，半導(dǎo)體器件的橫向方向?yàn)榘雽?dǎo)體器件中柱區(qū)的排列方向。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在半導(dǎo)體器件的寬度方向上，所述第一柵極溝槽的尺寸等于大于所述柱區(qū)(3)的尺寸，所述第一柵氧化層(41)的尺寸大于所述柱區(qū)(3)的尺寸；

其中，半導(dǎo)體器件的寬度方向?yàn)榘雽?dǎo)體器件中單個(gè)柱區(qū)的延伸方向。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

第二柵極溝槽，貫穿所述阱區(qū)且向下伸入到所述漂移區(qū)(2)內(nèi)；

第二柵氧化層(42)，形成所述第二柵極溝槽內(nèi)且所述第二柵氧化層(42)的下端伸入到所述漂移區(qū)(2)內(nèi)；

第二柵極(52)，形成在所述第二柵氧化層(42)之上；

其中，所述第二柵氧化層(42)位于兩個(gè)第一柵氧化層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在半導(dǎo)體器件的橫向方向上，所述第一柵極溝槽的尺寸大于所述第二柵極溝槽的尺寸；

對應(yīng)的，所述第一柵極溝槽的深度大于或等于所述第二柵極溝槽的深度。