[發(fā)明專利]一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法

在審

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• 申請日: 2022-09-02
• 公開（公告）號: CN115472561A
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳偉;陳鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙) 35212
• 代理人: 宋連梅

一種Topcom結(jié)構(gòu)的a?Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，包括：依序在Glass上形成GE、PEITO、GI、SEIGZO；采用DC光罩，干蝕刻出DC孔，便于SD與PE搭接；在IGZO及GI層上涂上一層負(fù)型光阻PR；用SD的光罩對負(fù)型光阻PR進(jìn)行曝光；顯影掉未被光照到的負(fù)型光阻PR；采用PVD方式在負(fù)型PR及IGZO上沉積一層SD；在SD上涂一層正型光阻PR，并用SD的原有光罩進(jìn)行曝光；顯影掉被光照到的正型光阻PR；采用濕蝕刻方式，蝕刻掉未被光阻PR保護(hù)的金屬層；進(jìn)行剝膜制程，去掉正型和負(fù)型光阻，形成SD；沉積一層CH；形成公共電極層UCITO。本發(fā)明解決了現(xiàn)有產(chǎn)品之間的半導(dǎo)體層a?Si與IGZO的有效轉(zhuǎn)換。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示裝置的制造技術(shù)領(lǐng)域，具體是指一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)

IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，載流子遷移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應(yīng)速度，具備更快的面板刷新頻率，可實現(xiàn)超高分辨率TFT-LCD。同時，現(xiàn)有的非晶硅生產(chǎn)線只需稍加改動即可兼容IGZO制程，因此在成本方面較低溫多晶硅(LTPS)更有競爭力。

目前已應(yīng)用于TFT基板的Array制造工藝主要集中在8Mask的外掛機種、9MaskTop-com TIC機種(公共電極在像素電極之上)以及10Mask的Mid-comTIC機種(公共電極在介于OC與像素電極之間)。為了節(jié)省成本，現(xiàn)有的a-Si機種也同步開發(fā)了7Mask的Top-com外掛機種，不僅縮短了Cycle time，并且簡化了工藝流程，有效的提高效益。由于IGZO制程與現(xiàn)有的a-Si生產(chǎn)線有很好的兼容性，在不增加現(xiàn)有Mask的情況下，可以實現(xiàn)a-Si機種與IGZO機種之間的直接轉(zhuǎn)換。為此，基于7Mask機種的設(shè)計低成本優(yōu)勢，期望直接實現(xiàn)a-Si轉(zhuǎn)IGZO。然而結(jié)合基板設(shè)計與制程工藝發(fā)現(xiàn)，由于7Mask設(shè)計省略了傳統(tǒng)的TFT器件上的PV絕緣膜層及有機平坦層OC，像素電極PE-ITO設(shè)計與a-Si共平面，傳統(tǒng)的a-SiPattern工藝采用的是干蝕刻方式，而像素電極PE-ITO為草酸濕蝕刻。若a-Si轉(zhuǎn)IGZO后，IGZO蝕刻方式也為草酸濕蝕刻，不免造成無論先后Pattern IGZO還是ITO，都會對另一道膜層Pattern造成damage，從而影響畫素?zé)o法正常顯示，如圖1所示。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種Topcom結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，有效避免了IGZO與像素電極之間的相互蝕刻damage問題，還提高了TFT電性均勻性和穩(wěn)定性。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的：

一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，包括如下步驟：

第一步：依序在Glass上Pattern形成柵極金屬層GE；

第二步：Pattern形成像素電極層PE ITO；

第三步：沉積一層?xùn)艠O絕緣層GI；

第四步：Pattern一層有源層SE IGZO；

第五步：采用DC光罩，干蝕刻出DC孔，便于SD與PE搭接；

第六步：在有源層SE IGZO及GI層上涂上一層負(fù)型光阻PR；

第七步：用SD的光罩對負(fù)型光阻PR進(jìn)行曝光；

第八步：顯影掉未被光照到的負(fù)型光阻PR；

第九步：采用PVD方式在負(fù)型PR及IGZO上沉積一層金屬層SD；

第十步：在金屬層SD上涂一層正型光阻PR，并用SD的原有光罩進(jìn)行曝光；

第十一步：顯影掉被光照到的正型光阻PR；