[發(fā)明專利]一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211069732.7
• 申請(qǐng)日: 2022-09-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115472561A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳偉;陳鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華映科技（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙) 35212
• 代理人: 宋連梅

1.一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

第一步：依序在Glass上Pattern形成柵極金屬層GE；

第二步：Pattern形成像素電極層PE ITO；

第三步：沉積一層?xùn)艠O絕緣層GI；

第四步：Pattern一層有源層SE IGZO；

第五步：采用DC光罩，干蝕刻出DC孔，便于SD與PE搭接；

第六步：在有源層SEIGZO及柵極絕緣層GI層上涂上一層負(fù)型光阻PR；

第七步：用SD的光罩對(duì)負(fù)型光阻PR進(jìn)行曝光；

第八步：顯影掉未被光照到的負(fù)型光阻PR；

第九步：采用PVD方式在負(fù)型PR及IGZO上沉積一層金屬層SD；

第十步：在金屬層SD上涂一層正型光阻PR，并用SD的原有光罩進(jìn)行曝光；

第十一步：顯影掉被光照到的正型光阻PR；

第十二步：采用濕蝕刻方式，蝕刻掉未被光阻PR保護(hù)的金屬層；

第十三步：進(jìn)行剝膜制程，去掉正型和負(fù)型光阻，Pattern出金屬層SD；

第十四步：沉積一層絕緣層CH；

第十五步：Pattern形成公共電極層UC ITO。

2.如權(quán)利要求1所述的一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述第一步中柵極金屬層GE，為Ti/AI/Ti。

3.如權(quán)利要求1所述的一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述第三步中柵極絕緣層GI，為SiOx。

4.如權(quán)利要求1所述的一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述第九步中金屬層SD，為Ti/AI/Ti或Mo/AI/Mo。

5.如權(quán)利要求1所述的一種Top com結(jié)構(gòu)的a-Si轉(zhuǎn)IGZO的陣列基板的制造方法，其特征在于：所述第十四步中絕緣層CH，為SiOx。