[發明專利]一種激光陀螺電極及制造方法

在審

• 申請號: 202211068625.2
• 申請日: 2022-09-02
• 公開（公告）號: CN115479596A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 王立斌
• 申請（專利權）人: 天津集智航宇科技有限公司
• 主分類號: G01C19/66
• 分類號: G01C19/66;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58
• 代理公司: 中國和平利用軍工技術協會專利中心 11215
• 代理人: 劉光德

1.一種激光陀螺電極，其特征在于，所述電極包括陰極和陽極，所述電極基體為圓形帽狀，所述電極基體的材料為單一耐高溫材料；所述電極基體下端有向外伸出的折邊，所述折邊用作電極與激光陀螺之間的密封面；

所述電極基體的內表面被拋光到規定光潔度，并在所述電極的內表面和所述密封面上鍍覆預定厚度的高純金屬材料鍍層。

2.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述電極基體的材料采用以下材料中的一種：微晶玻璃、石英玻璃或者超因瓦合金。

3.如權利要求2所述的電極，其特征在于，采用磁控離子濺射鍍膜機對所述電極鍍膜；所述高純金屬材料為高純鋁或高純鈹，金屬材料的純度大于99.99％，所述高純金屬材料鍍層的預定厚度為：5～10um。

4.如權利要求3所述的電極，其特征在于，在所述密封面與激光陀螺的接合面上粘接高純銦密封環，銦的純度大于99.99％。

5.如權利要求2所述的電極，其特征在于，當采用超因瓦合金做電極時，在所述電極基體內嵌入一層高純鋁殼體代替所述高純金屬材料鍍層，鋁的純度大于99.99％；

所述電極基體和所述高純鋁殼體之間采用真空焊料焊接。

6.一種激光陀螺電極的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟1，將電極材料加工為圓形帽狀電極基體，所述電極基體內表面作拋光處理到規定光潔度；

步驟2，將完成步驟1的所述電極基體進行清洗和酸腐蝕，以去除電極基體表面的雜質層；

步驟3，在完成步驟2的所述電極基體的內表面和密封面上附著高純金屬材料層；

步驟4，將完成步驟3的所述電極基體放入氧化爐中，在氧氣環境下用預定加熱溫度加熱氧化預定時間。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述電極基體的規定光潔度須達到以下要求：使用放大倍數大于20倍的工具顯微鏡觀察所述電極基體的內表面時，所述內表面光滑且觀察不出缺陷點，所述缺陷點包括：劃痕、凹坑或凸起。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，步驟1還包括：

當采用微晶玻璃或者石英玻璃做電極基體的材料時，采用金剛石磨具研磨加工為圓形帽狀電極基體；

或者，當采用超因瓦合金做電極基體的材料時，采用車銑加工方式制成圓形帽狀電極基體。

9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述預定加熱溫度為：100～300℃，加熱氧化預定時間為：大于等于5小時。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟3包括：

將完成步驟2的所述電極基體放入磁控離子濺射鍍膜機中，在所述電極基體的內表面和密封面上鍍制5～10um的高純鋁或高純鈹膜層；

或者，在采用超因瓦合金做電極基體的材料時，在清洗后的所述電極基內表面和密封面上，用高純銦做焊料真空焊接一個高純鋁材料的圓帽狀內殼。