[發(fā)明專利]陣列基板及顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211067260.1
• 申請(qǐng)日: 2022-09-01
• 公開（公告）號(hào): CN115425049A
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾飛;羅成志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊瑞

本申請(qǐng)公開了一種陣列基板及顯示面板，該陣列基板包括感光二極管，感光二極管包括第一柵極、感光層以及第二柵極，感光層包括第一感光部以及凸起部，凸起部設(shè)置于第一感光部遠(yuǎn)離第一柵極的一側(cè)，第二柵極包括主體部以及側(cè)壁部，側(cè)壁部從主體部向感光層延伸以及與感光層分離設(shè)置，主體部和側(cè)壁部形成朝向凸起部的凹腔，其中，至少部分凸起部位于凹腔內(nèi)；本申請(qǐng)將將至少部分凸起部位于凹腔內(nèi)，以使第二柵極將凸起部三面包圍，進(jìn)而增強(qiáng)了第二柵極通電時(shí)對(duì)感光層的電子排斥力，從而提高了第二柵極對(duì)感光二極管的控制能力，更進(jìn)一步增加了感光二極管探測(cè)外界光線的靈敏度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示面板的發(fā)展，屏內(nèi)集成技術(shù)成為顯示面板的重要發(fā)展方向之一。例如，屏內(nèi)環(huán)境光技術(shù)、光學(xué)指紋技術(shù)、溫度傳感器等，將光、熱等信號(hào)轉(zhuǎn)換成能被讀取的電信號(hào)，以獲取對(duì)應(yīng)的光信號(hào)或熱信號(hào)。

在現(xiàn)有集成感光二極管的顯示面板中，感光二極管除了接收目標(biāo)光線外，還接收面內(nèi)經(jīng)反射或側(cè)面入射等非目標(biāo)光線，導(dǎo)致感光二極管探測(cè)外界光線的靈敏度較低。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板及顯示面板，以解決現(xiàn)有感光二極管探測(cè)外界光線的靈敏度較低的技術(shù)問題。

為解決上述方案，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板和設(shè)置于所述襯底基板上的感光二極管，所述感光二極管包括：

第一柵極，設(shè)置于所述襯底基板上；

感光層，設(shè)置于所述第一柵極上，所述感光層包括第一感光部以及與所述第一感光部連接的凸起部，所述凸起部設(shè)置于所述第一感光部遠(yuǎn)離所述第一柵極的一側(cè)；以及

第二柵極，設(shè)置于所述感光層上，所述第二柵極包括主體部以及與所述主體部連接的側(cè)壁部，所述側(cè)壁部從所述主體部向所述感光層延伸以及與所述感光層分離設(shè)置，所述主體部和所述側(cè)壁部形成朝向所述凸起部的凹腔；

其中，至少部分所述凸起部位于所述凹腔內(nèi)。

在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述感光層在所述第一柵極上的正投影位于所述第一柵極內(nèi)，所述感光層在所述主體部上的正投影位于所述主體部內(nèi)。

在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述感光二極管還包括：

第一歐姆接觸層，設(shè)置于所述第一感光部上；以及

第一源漏極層，設(shè)置于所述第一歐姆接觸層上；

其中，所述第一感光部包括第一子感光部以及位于所述第一子感光部兩側(cè)的第二子感光部，所述第一子感光部與所述凸起部對(duì)應(yīng)且連接，所述第二子感光部與所述第一歐姆接觸層連接。

在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板中，所述陣列基板還包括位于所述感光二極管一側(cè)的驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括：

有源層，設(shè)置于所述襯底基板上；

柵極絕緣層，設(shè)置于所述襯底基板上并覆蓋所述有源層；

第三柵極，設(shè)置于所述有源層上，且與所述有源層對(duì)應(yīng)；

第一層間絕緣層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述第三柵極；

第二層間絕緣層，設(shè)置于所述第一層間絕緣層上；

第二歐姆接觸層，設(shè)置于所述第二層間絕緣層上；以及

第二源漏極層，設(shè)置于所述第二歐姆接觸層上；

其中，所述第一柵極與所述第三柵極間隔設(shè)置于所述柵極絕緣層上，所述第一源漏極層與所述襯底基板的間距大于所述第二源漏極層與所述襯底基板的間距。