[發明專利]陣列基板及顯示面板在審
| 申請號: | 202211067260.1 | 申請日: | 2022-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN115425049A | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發明(設計)人: | 艾飛;羅成志 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括襯底基板和設置于所述襯底基板上的感光二極管,所述感光二極管包括:
第一柵極,設置于所述襯底基板上;
感光層,設置于所述第一柵極上,所述感光層包括第一感光部以及與所述第一感光部連接的凸起部,所述凸起部設置于所述第一感光部遠離所述第一柵極的一側;以及
第二柵極,設置于所述感光層上,所述第二柵極包括主體部以及與所述主體部連接的側壁部,所述側壁部從所述主體部向所述感光層延伸以及與所述感光層分離設置,所述主體部和所述側壁部形成朝向所述凸起部的凹腔;
其中,至少部分所述凸起部位于所述凹腔內。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述感光層在所述第一柵極上的正投影位于所述第一柵極內,所述感光層在所述主體部上的正投影位于所述主體部內。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述感光二極管還包括:
第一歐姆接觸層,設置于所述第一感光部上;以及
第一源漏極層,設置于所述第一歐姆接觸層上;
其中,所述第一感光部包括第一子感光部以及位于所述第一子感光部兩側的第二子感光部,所述第一子感光部與所述凸起部對應且連接,所述第二子感光部與所述第一歐姆接觸層連接。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括位于所述感光二極管一側的驅動晶體管,所述驅動晶體管包括:
有源層,設置于所述襯底基板上;
柵極絕緣層,設置于所述襯底基板上并覆蓋所述有源層;
第三柵極,設置于所述有源層上,且與所述有源層對應;
第一層間絕緣層,設置于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述第三柵極;
第二層間絕緣層,設置于所述第一層間絕緣層上;
第二歐姆接觸層,設置于所述第二層間絕緣層上;以及
第二源漏極層,設置于所述第二歐姆接觸層上;
其中,所述第一柵極與所述第三柵極間隔設置于所述柵極絕緣層上,所述第一源漏極層與所述襯底基板的間距大于所述第二源漏極層與所述襯底基板的間距。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第二層間絕緣層上設置有第一過孔,所述第一過孔貫穿所述第二層間絕緣層并暴露出所述第二子感光部,所述第一歐姆接觸層填充所述第一過孔;
所述第二層間絕緣層還分別設置有第二過孔,所述第二過孔均貫穿所述第二層間絕緣層、所述第一層間絕緣層以及部分所述柵極絕緣層并暴露出所述有源層,所述第二歐姆接觸層填充所述第二過孔。
6.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括設置于所述第二層間絕緣層上的平坦化層,所述平坦化層設置有第三過孔,所述側壁部設置于所述第三過孔的側壁上;
其中,所述主體部包括第一子主體部以及位于所述第一子主體部兩端的第二子主體部,所述第一子主體部位于所述第三過孔內,且所述凸起部在所述第一子主體部上的正投影位于所述第一子主體部內;
所述第二子主體部包括設置于所述平坦化層上的平坦部以及設置于所述第三過孔的側壁上的連接部,所述連接部的一端分別與所述第一子主體部和所述側壁部連接,所述連接部的另一端與所述平坦部連接;
其中,所述第一子主體部與所述連接部形成一開口結構,所述開口結構的開口方向與所述凹腔的開口方向相反。
7.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述驅動晶體管還包括:
公共電極層,設置于所述第二源漏極層上;以及
像素電極層,設置于所述公共電極層上,所述像素電極層與所述第二源漏極層電連接;
其中,所述公共電極層與部分所述主體部同層,且所述公共電極層與所述主體部絕緣設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





