[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211066022.9
• 申請(qǐng)日: 2022-09-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115148861B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林朝暉;林楷睿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/20
• 分類號(hào): H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/077
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 張娟娟

本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，它包括如下步驟，A，在半導(dǎo)體基板第一主面上形成隧穿氧化層；B，在隧穿氧化層上形成第一本征多晶硅層；C，使用擴(kuò)散退火工藝，使第一本征多晶硅層形成P型多晶硅層；D，去除經(jīng)擴(kuò)散退火工藝形成的硼硅玻璃層；E，在P型多晶硅層上形成掩膜層；F，對(duì)半導(dǎo)體基板第二主面進(jìn)行制絨清洗，之后去除掩膜層；G，在半導(dǎo)體基板第二主面上形成第二本征非晶硅層；H，在第二本征非晶硅層上形成N型摻氧微晶硅層。本發(fā)明的目的在于提供一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，減少了兩套板式PECVD設(shè)備，從而大幅降低了設(shè)備投資成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，太陽(yáng)能電池已廣泛應(yīng)用于人們的日常生活以及工業(yè)中。近年來(lái)，太陽(yáng)能電池生產(chǎn)技術(shù)不斷進(jìn)步，生產(chǎn)成本不斷降低，轉(zhuǎn)換效率不斷提高，太陽(yáng)能電池發(fā)電的應(yīng)用日益廣泛并成為電力供應(yīng)的重要能源。

硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池是其中一種高效的電池技術(shù)，其綜合了單晶硅太陽(yáng)能電池和非晶硅太陽(yáng)能電池的優(yōu)勢(shì)，有轉(zhuǎn)換效率更高、高溫特性好等特點(diǎn)，因此具有很大的市場(chǎng)潛力。

目前硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池正背面的鈍化層及摻雜層采用板式等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備沉積，沉積溫度一般小于220℃，為減少摻雜元素的交叉污染，目前硅片一般采用背面本征非晶硅層、正面本征非晶硅層及N型摻雜非晶硅層、背面P型摻雜非晶硅層的順序依序沉積，需要使用到3套板式PECVD鍍膜設(shè)備，且中間需要進(jìn)出真空腔室3次，其高昂設(shè)備成本，嚴(yán)重阻礙了異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，減少了兩套板式PECVD設(shè)備，從而大幅降低了設(shè)備投資成本。

本發(fā)明的目的通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制作方法，它包括如下步驟，

A，在半導(dǎo)體基板第一主面上形成隧穿氧化層；

B，在隧穿氧化層上形成第一本征多晶硅層；

C，使用擴(kuò)散退火工藝，使第一本征多晶硅層形成P型多晶硅層；

D，去除經(jīng)擴(kuò)散退火工藝形成的硼硅玻璃層；

E，在P型多晶硅層上形成掩膜層；

F，對(duì)半導(dǎo)體基板第二主面進(jìn)行制絨清洗，之后去除掩膜層；

G，在半導(dǎo)體基板第二主面上形成第二本征非晶硅層；

H，在第二本征非晶硅層上形成N型摻氧微晶硅層。

較之現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

（1）電池采用隧穿氧化層及P型多晶硅層替代本征非晶硅層及P型摻雜非晶或部分摻氧的微晶層，載流子遷移率相對(duì)顯著提升，因此可以大幅改善載流子在電池背面?zhèn)鬏斠鸬碾妼W(xué)功率損失，從而提高電池效率。

（2）電池采用隧穿氧化層及P型多晶硅層替代本征非晶硅層及P型摻雜非晶/微晶層，可以提升電池的耐候性和對(duì)后續(xù)工藝的高溫處理耐受性，同時(shí)，減少了兩套板式PECVD設(shè)備，從而提升電池質(zhì)量，大幅降低了設(shè)備投資成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供拋光清洗后的N型單晶硅片。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例在硅片背面形成隧穿氧化層及本征多晶層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例硅片通過(guò)高溫?cái)U(kuò)散后在硅片背面本征多晶層轉(zhuǎn)換為P型多晶硅層及形成硼硅玻璃層BSG的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例硅片背面去除BSG后的結(jié)構(gòu)示意圖。