[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211066022.9
• 申請日: 2022-09-01
• 公開（公告）號: CN115148861B
• 公開（公告）日: 2023-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林朝暉;林楷睿
• 申請（專利權(quán)）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/077
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 張娟娟

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：它包括如下步驟，

A，在半導體基板第一主面上形成隧穿氧化層；

B，在隧穿氧化層上形成第一本征多晶硅層；

C，使用擴散退火工藝，使第一本征多晶硅層形成P型多晶硅層；

D，去除經(jīng)擴散退火工藝形成的硼硅玻璃層；

E，在P型多晶硅層上形成掩膜層；

F，對半導體基板第二主面進行制絨清洗，之后去除掩膜層；

G，在半導體基板第二主面上形成第二本征非晶硅層；

H，在第二本征非晶硅層上形成N型摻氧微晶硅層；

I，在P型多晶硅層上形成第一導電膜層，在N型摻氧微晶硅層上形成第二導電膜層；

J，在第一導電膜層上形成第一金屬電極，在第二導電膜層上形成第二金屬電極；

所述半導體基板為N型硅片；

所述步驟E的具體方法為，在P型多晶硅層上通過等離子體化學氣相 沉積或高溫化學氣相沉積技術(shù)沉積氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的至少一種，以形成掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟A的具體方法為，在半導體基板第一主面上采用干法氧化方式或濕法氧化方式形成隧穿氧化層；所述干法氧化方式為采用加熱氧化或化學氣相沉積技術(shù)或等離子體輔助氧化，所述濕法氧化方式為采用硝酸氧化或臭氧氧化或添加雙氧水氧化技術(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟C的具體方法為，對第一本征多晶硅層進行硼摻雜，使用的摻雜源為三氯化硼或三溴化硼，氧源為純度大于99.9%的高純氧氣，擴散退火溫度為800-1100℃，擴散退火時間為90-300分鐘，以形成P型多晶硅層和硼硅玻璃層；所述P型多晶硅層的厚度為30-250nm、方阻為30-300Ω/□。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述掩膜層厚度為30-150nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟H的具體方法為，采用等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)或熱絲化學氣相沉積技術(shù)形成由一層以上的含氧型微晶層和一層以上的非含氧型微晶層進行疊合構(gòu)成的N型摻氧微晶硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟H中，N型摻氧微晶硅層的各個膜層分別采用逐階段提高N型摻雜氣體與硅烷的比值的工藝方式進行沉積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：在步驟A之前還進行拋光清洗，其具體為用溫度為65-90℃、氫氧化鉀或氫氧化鈉的質(zhì)量百分濃度為3%-12%的堿性溶液對半導體基板進行拋光，之后使用弱堿性溶液和酸性溶液進行清洗。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟F的具體方法為，通過制絨清洗，在半導體基板第二主面上形成金字塔絨面，之后通過含氟的酸性溶液去除掩膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述隧穿氧化層的厚度為1-2.5nm；所述第二本征非晶硅層為氫化本征非晶硅層，其厚度為3-12nm；所述N型摻氧微晶硅層的厚度為5-25nm。