[發(fā)明專利]一種VCSEL芯片導(dǎo)電金層的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211062915.6 | 申請日： | 2022-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN115313149A | 公開（公告）日： | 2022-11-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 平登宏;張先東;陳麗祥;王剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 威科賽樂微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 黃宗波 |
| 地址： | 404000 重慶市*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 vcsel 芯片 導(dǎo)電 制備 方法 | ||
1.一種VCSEL芯片導(dǎo)電金層的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
S1：取待處理晶圓，在待處理晶圓的表面旋涂上LOR層和光刻膠層，曝光、顯影后，光刻膠覆蓋待處理晶圓的出光區(qū)域和切割區(qū)域，裸露出發(fā)光孔金屬互聯(lián)區(qū)域和電極區(qū)域；
S2：利用磁控濺射工藝，對S1步驟制備得到的晶圓表面進(jìn)行濺射形成種子層；
S3：除去出光區(qū)域和切割區(qū)域表面的LOR和光刻膠；
S4：對經(jīng)過S3步驟處理的晶圓表面重新旋涂上LOR和光刻膠，曝光、顯影后，光刻膠覆蓋待處理晶圓的出光區(qū)域和切割區(qū)域，裸露出發(fā)光孔金屬互聯(lián)區(qū)域和電極區(qū)；
S5：利用電鍍工藝，對經(jīng)過S4步驟處理的晶圓表面進(jìn)行鍍金，形成導(dǎo)電金層；
S6：對經(jīng)過S5步驟處理的晶圓除去出光區(qū)域和切割區(qū)域表面的LOR和光刻膠，進(jìn)入下一工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種VCSEL芯片導(dǎo)電金層的制備方法，其特征在于，所述待處理晶圓是經(jīng)過光刻、沉積、刻蝕和氧化處理的晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種VCSEL芯片導(dǎo)電金層的制備方法，其特征在于，所述種子層為金薄膜層，所述種子層的厚度為200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種VCSEL芯片導(dǎo)電金層的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電金層的厚度為3μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種VCSEL芯片導(dǎo)電金層的制備方法，其特征在于，所述S3和S6步驟，均是采用金屬剝離機(jī)，使用N-甲基吡咯烷酮溶液對晶圓進(jìn)行浸泡，至出光區(qū)域和切割區(qū)域表面的LOR和光刻膠溶解、脫落。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種VCSEL芯片導(dǎo)電金層的制備方法，其特征在于，所述N-甲基吡咯烷酮溶液的質(zhì)量濃度為70-90％。
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