[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

在審

• 申請號: 202211062517.4
• 申請日: 2022-09-01
• 公開（公告）號: CN115938979A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 片桐勇志;安武孝洋
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供有利于抑制顆粒對基片的附著的基片處理裝置和基片處理方法。基片處理裝置包括：處理腔室，其具有處理室和與處理室連接的排氣室，能夠在減壓后的氣氛的處理室收納基片；氣體供給部，其對處理室中的基片吹送具有比處理室的氣氛高的壓力的氣體；以及溫度調節部，其調節處理室和排氣室中的至少任一者的氣氛的溫度，以使得處理室的氣氛具有隨著從基片的附近去往排氣室而溫度逐漸降低的溫度分布。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置和基片處理方法。

背景技術

人們已知有向基片吹送氣體來除去基片上的異物的技術。例如，根據專利文獻1所公開的基片清洗方法，由多個氣體分子構成的團簇(cluster)不離子化而與晶片碰撞，由此能夠除去附著于基片的異物。在專利文獻1的裝置中，從基片被除去而飛散的異物在熱泳力的作用下被吸引到設定為低溫的冷卻部而被捕捉。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-171584號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

在晶片(基片)的干式清洗處理中，通過向晶片的外周部吹送氣體，在晶片上會附著大量的顆粒。其原因之一是，通過模擬可知，被吹送至晶片的外周部(特別是邊緣部附近的部位)的氣體的一部分向晶片的周圍的空間流動，由此在該空間產生渦流，顆粒隨著該渦流飛回晶片表面。

在減壓后的處理室中進行這樣的清洗處理的情況下，無法進行對處理室的吸氣和排氣，因此難以積極地控制處理室的氣流以使得抑制顆粒對晶片的附著。另外，在處理室中晶片在水平方向上移動的情況下，在晶片的周圍形成大體積的剩余空間，在該剩余空間中容易產生將顆粒向晶片引導的渦流等的氣流。

本發明提供有利于抑制顆粒對基片的附著的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式涉及一種基片處理裝置，其包括：處理腔室，其具有處理室和與上述處理室連接的排氣室，能夠在減壓后的氣氛的上述處理室收納基片；氣體供給部，其對上述處理室內的上述基片吹送具有比上述處理室的氣氛高的壓力的氣體；以及溫度調節部，其調節上述處理室和上述排氣室中的至少任一者的氣氛的溫度，以使得上述處理室的氣氛具有隨著從上述基片去往上述排氣室而溫度逐漸降低的溫度分布。

發明效果

依照本發明，有利于抑制顆粒對基片的附著。

附圖說明

圖1是表示基片處理裝置的一個例子的整體結構的平面圖。

圖2是表示基片清洗裝置的一個例子的結構的圖。

圖3是表示氣體噴嘴部的一個例子的圖。

圖4A是表示第一實施方式的基片清洗裝置的一個例子的結構的圖。

圖4B是表示設置于圖4A所示的處理腔室的處理底壁部的內部的致冷劑流路的一個例子的平面圖。

圖4C是表示設置于圖4A所示的處理腔室的處理頂壁部的內部的致冷劑流路的一個例子的平面圖。

圖5是表示第二實施方式的基片清洗裝置的一個例子的結構的圖。

圖6是表示第三實施方式的基片清洗裝置的一個例子的結構的圖。

圖7是表示第四實施方式的基片清洗裝置的一個例子的結構的圖。

附圖標記說明

30?????基片清洗裝置

31?????處理腔室

32?????處理室