[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

在審

• 申請號: 202211062517.4
• 申請日: 2022-09-01
• 公開（公告）號: CN115938979A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 片桐勇志;安武孝洋
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

處理腔室，其具有處理室和與所述處理室連接的排氣室，能夠在減壓后的氣氛的所述處理室收納基片；

氣體供給部，其對所述處理室中的所述基片吹送具有比所述處理室的氣氛高的壓力的氣體；以及

溫度調節部，其調節所述處理室和所述排氣室中的至少任一者的氣氛的溫度，以使得所述處理室的氣氛具有隨著從所述基片的附近去往所述排氣室而溫度逐漸降低的溫度分布。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述溫度調節部通過熱泳而促進所述處理室中的顆粒向所述排氣室的移動。

3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述處理室的氣氛的溫度為所述基片的溫度以下。

4.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述氣體供給部對所述基片吹送氣體的團簇。

5.如權利要求1～4中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

在所述處理室中具有以使所述基片可旋轉的方式保持所述基片的保持部。

6.如權利要求1～5中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述處理腔室具有劃分所述處理室和所述排氣室的劃分壁部，

所述溫度調節部通過所述劃分壁部調節所述氣氛的溫度。

7.如權利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述溫度調節部具有通過所述劃分壁部對所述氣氛進行冷卻的冷卻部。

8.如權利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述溫度調節部具有通過所述劃分壁部對所述氣氛進行加熱的加熱部。

9.如權利要求6～8中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述溫度調節部具有設置于所述劃分壁部的內部的內部溫度調節器。

10.如權利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述內部溫度調節器具有在所述劃分壁部的內部延伸的致冷劑流路，在距所述排氣室相對較近的位置，致冷劑流體流入所述致冷劑流路，在距所述排氣室相對較遠的位置，所述致冷劑流體從所述致冷劑流路流出。

11.如權利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述內部溫度調節器包括：第一致冷劑流路，其在所述劃分壁部的內部設置于距所述排氣室相對較近的位置；和第二致冷劑流路，其獨立于所述第一致冷劑流路地設置在距所述排氣室相對較遠的位置，

流入所述第一致冷劑流路的致冷劑流體的溫度低于流入所述第二致冷劑流路的致冷劑流體的溫度。

12.如權利要求6～8中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述溫度調節部具有設置于所述劃分壁部的外部的外部溫度調節器。

13.如權利要求6～12中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述排氣室位于所述處理室的下方，

所述劃分壁部包括：劃分所述排氣室的排氣壁部；在所述處理室的側方劃分所述處理室的處理側壁部；和在所述處理室的上方劃分所述處理室的處理頂壁部，

所述溫度調節部使所述排氣壁部的溫度低于所述處理側壁部的溫度，并且使所述處理側壁部的溫度低于所述處理頂壁部的溫度。

14.如權利要求1～13中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述溫度調節部通過所述基片對所述處理室的氣氛的溫度進行調節。

15.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

調節處理室和排氣室中的至少任一者的氣氛的溫度，以使得與所述排氣室連接的所述處理室的減壓后的氣氛具有隨著從所述處理室中的基片的附近去往所述排氣室而溫度逐漸降低的溫度分布的步驟；以及

將具有比所述處理室的氣氛高的壓力的氣體吹送到所述處理室中的所述基片的步驟。