[發(fā)明專利]背接觸太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211056084.1
• 申請日: 2022-08-31
• 公開（公告）號: CN115513308A
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張東威;吳帥;李云朋;葉楓;方亮;徐希翔
• 申請（專利權(quán)）人: 隆基綠能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面包括相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域；

隧穿氧化層和摻雜晶硅層，所述隧穿氧化層在所述第一區(qū)域上，所述摻雜晶硅層在所述隧穿氧化層的遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基底的表面上；

本征非晶硅層和摻雜非晶硅層，所述摻雜晶硅層與所述摻雜非晶硅層的導(dǎo)電類型相反，所述本征非晶硅層在所述第二區(qū)域上，并延伸在所述摻雜晶硅層的遠(yuǎn)離所述遂穿氧化層的部分表面上，所述摻雜非晶硅層在所述本征非晶硅層的遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基底的表面上，形成所述本征非晶硅層和所述摻雜非晶硅層與所述隧穿氧化層和所述摻雜晶硅層的交錯(cuò)疊置區(qū)域；

隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括隔離層和隔離槽，所述隔離層在所述交錯(cuò)疊置區(qū)域中的所述本征非晶硅層與所述摻雜晶硅層之間；所述隔離槽貫穿所述交錯(cuò)疊置區(qū)域中的所述摻雜非晶硅層和所述本征非晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第一區(qū)域?yàn)榻q面結(jié)構(gòu)；

和/或，所述第二區(qū)域?yàn)榻q面結(jié)構(gòu)；

和/或，所述第二表面為絨面結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，還包括：第一電極層和第二電極層，所述第一電極層在所述隔離槽的一側(cè)，且所述第一電極層覆蓋所述摻雜非晶硅層，所述第二電極層在所述隔離槽的另一側(cè)，且所述第二電極層覆蓋所述摻雜非晶硅層和所述摻雜晶硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述第一電極層和所述第二電極層為透明導(dǎo)電層，所述第一電極層和所述第二電極層的材料各自獨(dú)立地選自氧化銦錫、氧化鋁鋅、摻氫氧化銦和氧化銦鎢中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述隔離層包括絕緣層，所述絕緣層在所述本征非晶硅層與所述摻雜晶硅層之間；

或，所述隔離層包括絕緣層和摻雜氧化層，所述摻雜氧化層在所述摻雜晶硅層的遠(yuǎn)離所述隧穿氧化層的表面上，所述絕緣層在所述摻雜氧化層的遠(yuǎn)離所述摻雜晶硅層的表面上；

任選地，所述絕緣層的厚度為40～60nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述絕緣層為氮化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層包括氧化物鈍化層和氮化硅鈍化層，所述氧化物鈍化層設(shè)置在所述第二表面上，所述氮化硅鈍化層設(shè)置在所述氧化物鈍化層的遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體基底的表面；

任選地，所述氧化物鈍化層的厚度為5～15nm，所述氮化硅鈍化層的厚度為70～110nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述摻雜非晶硅層為P型摻雜非晶硅層p-a-Si，所述摻雜晶硅層為N型摻雜晶硅層n-poly-Si；

或者，所述摻雜非晶硅層為N型摻雜非晶硅層n-a-Si，所述摻雜晶硅層為P型摻雜晶硅層p-poly-Si。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述絨面結(jié)構(gòu)為類金字塔絨面，所述類金字塔在所述半導(dǎo)體基底表面上的正投影在寬度方向的尺寸為1-3μm，所述類金字塔在厚度方向的尺寸為1.5-2μm。