[發明專利]背接觸太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 202211056084.1 | 申請日: | 2022-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN115513308A | 公開(公告)日: | 2022-12-23 |
| 發明(設計)人: | 張東威;吳帥;李云朋;葉楓;方亮;徐希翔 | 申請(專利權)人: | 隆基綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了背接觸太陽能電池及其制備方法,背接觸太陽能電池包括:半導體基底;隧穿氧化層和摻雜晶硅層,隧穿氧化層在第一區域上,摻雜晶硅層在隧穿氧化層的遠離半導體基底的表面上;本征非晶硅層和摻雜非晶硅層,摻雜晶硅層與摻雜非晶硅層的導電類型相反,本征非晶硅層在第二區域上,并延伸在摻雜晶硅層的遠離遂穿氧化層的部分表面上,摻雜非晶硅層在本征非晶硅層的遠離半導體基底的表面上;隔離結構,隔離結構包括隔離層和隔離槽。本發明既增大了背接觸太陽能電池的制備工藝窗口,降低了工藝難度,又提高了摻雜區的表面鈍化效果,從而使太陽能電池的Eta、Uoc、FF均能達到與現有的HBC電池結構相當的水平。
技術領域
本發明屬于太陽能電池技術領域,具體涉及一種背接觸太陽能電池及其制備方法。
背景技術
近年來,隨著光伏相關技術的不斷發展,各大廠家的量產電池效率不斷提升,PERC電池作為當前市場的主流產品,仍然占有相當大的體量,但是其量產效率已經逼近理論極限24.5%。按照晶硅電池轉換效率每年進步0.5個百分點的規律,到2030年晶硅電池轉換效率將達到27.5%的產業化極限,接近單結晶硅電池29.43%的理論極限,從而進入到晶硅疊層電池發展時代。作為高效電池的代表,隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池(Tunnel OxidePassivated Contact,TOPCON)、異質結太陽能電池(Hetero-Junction with InstrinsicThin-layer,HIT)和叉指背接觸電池技術(Interdigitated back contact,IBC)三種N型技術路線都擁有非常高的效率天花板。
目前業界的目光主要聚焦在TOPCON和HJT這兩種鈍化接觸技術路線。高效晶硅電池技術演進的邏輯是:用更低成本的規模化工藝手段,減少電池載流子的復合,從而提高開路電壓和轉換效率。PERC電池勝出BSF鋁背場電池,關鍵在于在電池背面實行更好的鈍化技術,增強光線的內背反射,降低了背面復合。從實驗室和產業化結果來看,TOPCON和HJT電池的鈍化接觸技術,能大幅減少金屬電極和電池的接觸復合,從而實現比PERC電池更高的轉換效率。在量產成本上,能兼容PERC生產線的TOPCON電池工藝比HJT領先一步。
而IBC電池技術,作為歷史最悠久的晶硅電池技術,師出名門,自成體系,長期霸占晶硅電池轉換效率紀錄榜榜首,卻一直受限于較高的量產成本,發展較為曲折。IBC電池與其他晶硅電池最大的不同是,其發射極、表面場和金屬電極都做在電池背面,并交叉指式分布,電池正表面無任何柵線遮擋,吸光面積最大。
IBC電池技術能持續發展幾十年,并越來越受關注,除了擁有最高轉換效率潛力的電池結構外,還在于它能兼容并蓄,不斷吸收其他晶硅技術路線的工藝優點和鈍化技術,來不斷提升轉換效率。IBC吸收了PERC技術發展階段的優點,轉換效率提升到24%-25%;吸收TOPCON鈍化接觸技術,演變成TBC(Tunnel oxide Back Contact)電池,轉換效率能到25%-26%;吸收HJT的非晶硅鈍化技術,演變成HBC(Hetero-Junction Back Contact)電池,轉換效率能到26%-27%。
與IBC電池相比,HBC電池采用a-Si:H作為雙面鈍化層,具有優異的鈍化效果,能夠取得更高的開路電壓。在生長PN結的工藝中,他們采用區域型掩膜摻雜,降低了載流子的復合損失。與HJT電池相比,其前表面無電極遮擋,減少光學損失的優勢更加顯著,結合前表面兩點優勢,HBC電池能夠取得更高的短路電流。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





