[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211055697.3
• 申請日: 2022-08-31
• 公開（公告）號: CN115732444A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李政昊;李斗煥
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/48
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 紀雯;倪斌

一種半導(dǎo)體封裝包括：再分布部，包括絕緣層、再分布層和再分布通孔；凸塊下金屬(UBM)層，在再分布部下方，并且UBM層包括在再分布部的下表面上的UBM焊盤和在UBM焊盤上以穿透絕緣層的UBM通孔；半導(dǎo)體芯片，在再分布部的上表面上，并電連接到再分布層；粘合層，在UBM層與絕緣層之間，并且包括導(dǎo)電材料；以及連接凸塊，在UBM焊盤下方，并連接到UBM層。UBM焊盤具有第一直徑，且UBM通孔具有小于第一直徑的第二直徑，以及UBM焊盤的上表面位于與絕緣層的下表面相同的高度處、或比絕緣層的下表面低的高度處。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2021年9月1日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請No.10-2021-0116427的優(yōu)先權(quán)，其全部公開通過引用并入本文以用于所有目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體封裝可以通過各種類型的連接凸塊安裝在諸如主板的基板上。為了半導(dǎo)體封裝與基板之間的穩(wěn)定電連接，凸塊下金屬(UBM)層設(shè)置在半導(dǎo)體封裝的再分布層與連接凸塊之間。

發(fā)明內(nèi)容

示例實施例提供了一種具有改進的可靠性和批量生產(chǎn)率的半導(dǎo)體封裝及其制造方法。

根據(jù)一些示例實施例，一種半導(dǎo)體封裝包括：再分布部，包括絕緣層、在絕緣層上的再分布層、以及與再分布層連接的再分布通孔；凸塊下金屬(UBM)層，該UBM層包括在再分布部的下表面上的UBM焊盤和在UBM焊盤上的UBM通孔，UBM通孔穿透絕緣層；半導(dǎo)體芯片，在再分布部的上表面上，并且電連接到再分布層；粘合層，在UBM層與絕緣層之間，粘合層包括導(dǎo)電材料；以及連接凸塊，在UBM焊盤下方，并連接到UBM層。UBM焊盤具有第一直徑，并且UBM通孔具有小于第一直徑的第二直徑，以及UBM焊盤的上表面位于與絕緣層的下表面相同的高度處、或比絕緣層的下表面低的高度處。

根據(jù)一些示例實施例，一種半導(dǎo)體封裝包括：再分布部，包括絕緣層、在絕緣層上的再分布層、以及與再分布層連接的再分布通孔；凸塊下金屬(UBM)層，在再分布部的下表面下方，并連接到再分布通孔；半導(dǎo)體芯片，在再分布部的上表面上，并電連接到再分布層；粘合層，在再分布部的下表面上并且在UBM層與絕緣層之間；以及連接凸塊，在UBM焊盤下方，并連接到UBM層。UBM層的晶體結(jié)構(gòu)與再分布層的晶體結(jié)構(gòu)不同。

根據(jù)一些示例實施例，一種半導(dǎo)體封裝包括：再分布部，包括絕緣層和在絕緣層上的再分布結(jié)構(gòu)；凸塊下金屬(UBM)層，在再分布部下方，UBM層包括在再分布部的下表面下方的UBM焊盤和在絕緣層中、在UBM焊盤上的UBM通孔，并且UBM通孔將再分布結(jié)構(gòu)和UBM焊盤連接；半導(dǎo)體芯片，在再分布部的上表面上，并電連接到再分布結(jié)構(gòu)；以及連接凸塊，在UBM焊盤下方，并連接到UBM焊盤。當在截面中觀察時，UBM焊盤的上端具有第一寬度，且UBM焊盤的下端具有小于第一寬度的第二寬度，以及UBM通孔的上端具有第三寬度，且UBM通孔的下端具有大于第三寬度的第四寬度。

根據(jù)示例實施例，一種制造半導(dǎo)體封裝的方法包括：在包括銅箔層的載體基板的上表面上形成第一掩模層；使用第一掩模層來圖案化金屬箔層，使得金屬箔層的第一表面的至少一部分被去除第一厚度；在金屬箔層上形成再分布部，再分布部包括絕緣層和再分布結(jié)構(gòu)；將半導(dǎo)體芯片安裝在再分布部上；用封裝層密封半導(dǎo)體芯片；去除載體基板的一部分，使得金屬箔層保留在再分布部上；使用第二掩模層來圖案化金屬箔層，使得金屬箔層的第二表面的至少一部分被去除第二厚度，并且絕緣層的至少一部分被暴露。包括具有第一厚度的凸塊下金屬(UBM)通孔和具有第二厚度的UBM焊盤的UBM層由保留的銅箔層形成。

附圖說明

通過結(jié)合附圖的以下詳細描述，將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他方面、特征和優(yōu)點，其中：

圖1是根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體封裝的示意性截面圖；

圖2是根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體封裝的示意性局部放大圖；