[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211055697.3
• 申請(qǐng)日: 2022-08-31
• 公開（公告）號(hào): CN115732444A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李政昊;李斗煥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/48
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 紀(jì)雯;倪斌

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

再分布部，包括絕緣層、在所述絕緣層上的再分布層、以及與所述再分布層連接的再分布通孔；

凸塊下金屬UBM層，所述UBM層包括在所述再分布部的下表面上的UBM焊盤和在所述UBM焊盤上的UBM通孔，所述UBM通孔穿透所述絕緣層；

半導(dǎo)體芯片，在所述再分布部的上表面上，并且電連接到所述再分布層；

粘合層，在所述UBM層與所述絕緣層之間，所述粘合層包括導(dǎo)電材料；以及

連接凸塊，在所述UBM焊盤下方，并且連接到所述UBM層，

其中，所述UBM焊盤具有第一直徑，并且所述UBM通孔具有小于所述第一直徑的第二直徑，以及

所述UBM焊盤的上表面位于與所述絕緣層的下表面相同的高度處或比所述絕緣層的下表面低的高度處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述UBM通孔掩埋在所述絕緣層中，并且從所述絕緣層的下表面向下突出所述粘合層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述UBM焊盤的側(cè)表面和所述UBM通孔的對(duì)應(yīng)側(cè)表面具有不同的傾斜度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中，當(dāng)在截面中觀察時(shí)，

所述UBM焊盤的上端的寬度大于所述UBM焊盤的下端的寬度，以及

所述UBM通孔的上端的寬度小于所述UBM通孔的下端的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述UBM焊盤和所述UBM通孔的晶體結(jié)構(gòu)不同于所述再分布層和所述再分布通孔的晶體結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中

所述UBM焊盤和所述UBM通孔的晶體結(jié)構(gòu)具有扁平晶粒結(jié)構(gòu)，以及

所述再分布層和所述再分布通孔的晶體結(jié)構(gòu)具有柱狀晶粒結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述UBM焊盤的厚度在2μm至12μm的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述UBM焊盤和所述UBM通孔是一體的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述粘合層沿著所述UBM焊盤的上表面、所述UBM通孔的側(cè)表面和所述UBM通孔的上表面延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述粘合層包括與所述UBM通孔的材料和所述再分布通孔的材料不同的導(dǎo)電材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述連接凸塊覆蓋所述UBM焊盤的側(cè)表面的至少一部分和下表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述再分布層和所述再分布通孔包括電鍍籽晶層，所述電鍍籽晶層沿著所述再分布層的下表面、所述再分布通孔的側(cè)表面和所述再分布通孔的下表面延伸。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)，所述再分布部的一部分與所述半導(dǎo)體芯片不重疊。

14.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

再分布部，包括絕緣層、在所述絕緣層上的再分布層、以及與所述再分布層連接的再分布通孔；

凸塊下金屬UBM層，在所述再分布部的下表面下方，并且連接到所述再分布通孔；

半導(dǎo)體芯片，在所述再分布部的上表面上，并且電連接到所述再分布層；

粘合層，在所述再分布部的下表面上，并且在所述再分布部與所述UBM層之間；以及

連接凸塊，在所述UBM層下方，并且連接到所述UBM層，

其中，所述UBM層的晶體結(jié)構(gòu)與所述再分布層的晶體結(jié)構(gòu)不同。