[發明專利]可靠性檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 202211049774.4
• 申請日: 2022-08-30
• 公開（公告）號: CN115201620A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 蔣昊
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01R31/01
• 分類號: G01R31/01;G01R31/26;H01L21/66
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 閆學文

1.一種可靠性檢測方法，其特征在于，包括：

第一步驟：將多個待檢測半導體結構并聯，并對所有所述待檢測半導體結構同時施加持續增大的第一電壓，并檢測流經所有所述待檢測半導體結構的總電流，直至所述總電流按照第一預設條件發生突變；

第二步驟：對每個所述待檢測半導體結構單獨施加固定的第二電壓，并檢測流經每個所述待檢測半導體結構的子電流，并將滿足第二預設條件的所述子電流對應的所述待檢測半導體結構標記為已測半導體結構；

剔除所述已測半導體結構，并對剩余的所述待檢測半導體結構重復執行上述第一步驟到第二步驟直至所有所述待檢測半導體結構均被標記為已測半導體結構。

2.如權利要求1所述的可靠性檢測方法，其特征在于，所述第一預設條件為：突變后的所述總電流大于等于突變前的所述總電流的1000倍。

3.如權利要求1所述的可靠性檢測方法，其特征在于，所述第二預設條件為：流經被標記為所述已測半導體結構的所述子電流，大于等于流經未被標記為所述已測半導體結構的所述子電流的1000倍。

4.如權利要求1所述的可靠性檢測方法，其特征在于，第N次施加的第二電壓小于等于，所述總電流第N次按照第一預設條件發生突變時對應的所述第一電壓，其中，N大于等于1。

5.如權利要求1所述的可靠性檢測方法，其特征在于，第N+1次施加的持續增大的所述第一電壓，從所述總電流第N次按照第一預設條件發生突變時對應的所述第一電壓開始遞增，其中，N大于等于1。

6.如權利要求1所述的可靠性檢測方法，其特征在于，對每個所述待檢測半導體結構施加所述第二電壓的時間小于等于1s。

7.一種可靠性檢測裝置，其特征在于，用于實施如權利要求1～6任意一項所述的可靠性檢測方法，所述可靠性檢測裝置包括：

供電裝置，所述供電裝置給并聯的多個待檢測半導體結構供電，以對所有所述待檢測半導體結構同時施加持續增加的第一電壓，并可對每個所述待檢測半導體結構單獨施加固定的第二電壓；

電流檢測裝置，所述電流檢測裝置在所述供電裝置對所有所述待檢測半導體結構同時施加持續增大的第一電壓時，檢測流經所有所述待檢測半導體結構的總電流，并在所述供電裝置對每個所述待檢測半導體結構單獨施加固定的第二電壓時，檢測流經每個所述待檢測半導體結構的子電流。

8.如權利要求7所述的可靠性檢測裝置，其特征在于：還包括多個電控開關，所述電控開關與所述待檢測半導體結構一一對應串聯。

9.如權利要求8所述的可靠性檢測裝置，其特征在于：所述電控開關包括：繼電器。

10.如權利要求7所述的可靠性檢測裝置，其特征在于，所述供電裝置和所述電流檢測裝置集成在同一設備中，所述設備包括：SMU或電壓電流計。