[發(fā)明專利]發(fā)光器件、發(fā)光器件制作方法及顯示模組

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211041185.1
• 申請日: 2022-08-29
• 公開（公告）號: CN115621402A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李年譜;蔡彬;秦快;謝少佳;王軍永;陳紅文;陳潔亮;黃春
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 廣東廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44339
• 代理人: 李俊

1.一種發(fā)光器件，包括倒裝芯片，所述倒裝芯片包括外延層、第一電極和第二電極；

其特征在于，所述發(fā)光器件還包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；

所述第一電極朝向所述第二電極的側(cè)面為第一內(nèi)表面，所述第一電極除所述第一內(nèi)表面外的其余側(cè)面為第一外表面，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一外表面上，所述第一導(dǎo)電層與外延層保持絕緣；

所述第二電極朝向所述第一電極的側(cè)面為第二內(nèi)表面，所述第二電極除所述第二內(nèi)表面外的其余側(cè)面為第二外表面，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述第二外表面上，所述第二導(dǎo)電層與外延層保持絕緣。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述第一導(dǎo)電層向上延伸并覆蓋在所述外延層的側(cè)面上；

和/或所述第二導(dǎo)電層向上延伸并覆蓋在所述外延層的側(cè)面上。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述第一導(dǎo)電層向上延伸并覆蓋在所述外延層的頂面上；

和/或所述第二導(dǎo)電層向上延伸并覆蓋在所述外延層的頂面上。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的外側(cè)表面為鋸齒狀結(jié)構(gòu)或階梯狀結(jié)構(gòu)；

和/或所述第二導(dǎo)電層的外側(cè)面為鋸齒狀結(jié)構(gòu)或階梯狀結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括線路板；

所述線路板包括基板和至少一個焊盤單元，所述焊盤單元包括第一焊盤和第二焊盤；每一個所述倒裝芯片設(shè)置在對應(yīng)的一個焊盤單元上，所述第一電極和/或第一導(dǎo)電層鍵合在所述第一焊盤上，所述第二電極和/或第二導(dǎo)電層鍵合在所述第二焊盤上。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一焊盤包括相互電性連接的第一底焊盤和第一側(cè)焊盤，所述第二焊盤包括相互電性連接的第二底焊盤和第二側(cè)焊盤；

所述第一底焊盤和所述第二底焊盤根據(jù)所述發(fā)光器件的第一電極和第二電極之間的間距配合設(shè)置在基板上，所述第一側(cè)焊盤位于所述第一底焊盤遠(yuǎn)離所述第二底焊盤的一側(cè)上，所述第二側(cè)焊盤位于所述第二底焊盤遠(yuǎn)離所述第一底焊盤的一側(cè)上；

所述第一電極通過粘結(jié)劑固定在所述第一底焊盤上，所述第一導(dǎo)電層通過導(dǎo)電材料與所述第一側(cè)焊盤電性連接；

和/或所述第二電極通過粘結(jié)劑固定在所述第二底焊盤上，所述第二導(dǎo)電層通過導(dǎo)電材料與所述第二側(cè)焊盤電性連接。

7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，在所述線路板上還設(shè)置有遮擋層，所述遮擋層覆蓋在所述線路板未設(shè)置有所述焊盤單元的區(qū)域上。

8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括封裝層，所述封裝層封裝在所述基板上，所述封裝層封裝所述倒裝芯片及所述焊盤單元。

9.一種發(fā)光器件制作方法，其特征在于，用于如權(quán)利要求1至8任一項所述的發(fā)光器件的加工，包括：

倒裝芯片準(zhǔn)備：所述倒裝芯片包括外延層、第一電極和第二電極；

第一絕緣層加工：在所述外延層對應(yīng)于所述第一電極一側(cè)的外側(cè)面上加工得到第一絕緣層；

第二絕緣層加工：在所述外延層對應(yīng)于所述第二電極一側(cè)的外側(cè)面上加工得到第二絕緣層；

第一導(dǎo)電層加工：在所述第一電極的第一外表面上加工得到第一導(dǎo)電層；

第二導(dǎo)電層加工：在所述第二電極的第二外表面上加工得到第二導(dǎo)電層。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述第一絕緣層加工還包括：所述第一絕緣層還覆蓋設(shè)置在所述第一外表面上，且所述第一外表面至少有部分表面外露于所述第一絕緣層；

和/或所述第二絕緣層加工還包括：所述第二絕緣層還覆蓋設(shè)置在所述第二外表面上，且所述第二外表面至少有部分表面外露于所述第二絕緣層。