[發明專利]一種充分外露型雙芯串聯封裝體、封裝方法及PCB板

在審

• 申請號: 202211041008.3
• 申請日: 2022-08-29
• 公開（公告）號: CN115332234A
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 梁志忠;李明芬;陳育鋒
• 申請（專利權）人: 合肥大網格技術合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 合肥正則元起專利代理事務所(普通合伙) 34160
• 代理人: 安朋

本發明公開了一種充分外露型雙芯串聯封裝體、封裝方法及PCB板，屬于半導體封裝領域。該裝置包括引線框架、第一芯片和第二芯片，第二芯片和第一芯片上下層疊布置且第一芯片的源極與第二芯片的漏極相對布置；第一芯片的漏極鍵合至引線框架的漏極引腳、第一芯片的源極鍵合至第二芯片的漏極；第二芯片的源極鍵合至引線框架的源極引腳；第一芯片的柵極和第二芯片的柵極均鍵合至引線框架的柵極引腳，所述源極導電板完全外露于所述塑封體。本發明可提高電壓能力；可以減少至少一個芯片塑封體的制造成本；可以減少不同芯片的開發、生產及封裝體的庫存成本；通過使源極導電板外露，可以提高散熱效率。

技術領域

本發明涉及半導體封裝領域，特別涉及一種充分外露型雙芯串聯封裝體、封裝方法及PCB板。

背景技術

傳統典型的MOSFET功率芯片封裝，一般都采用一個封裝體中放置單一MOSFET功率芯片為封裝體型態，而MOSFET功率芯片封裝過程的關鍵工序會因為應用的不同，分成數種的封裝工藝方法與步驟。比較關鍵的工序變化，主要是從芯片正面的功能區域引出芯片外的金屬引線框內引腳鍵合的方式，而鍵合的方式不外乎是純金屬絲鍵合、金屬帶加金屬絲混合鍵合、金屬片搭配金屬錫膏鍵合加金屬絲混合鍵合以及全金屬片搭配金屬錫膏鍵合。

上述不同的鍵合技術其工藝流程與方法也都有所不同，但無論何種鍵合方式，其基本都存在單一封裝體中裝置單一MOSFET功率芯片為傳統的主流封裝模式。

現有傳統單MOSFET功率芯片封裝體模式存在如下缺陷：

1.傳統單一功率芯片的封裝型式如果應用在更高功率的情況下，則需要特別再開發單一更高功率的MOSFET功率芯片再進行單一MOSFET功率芯片封裝，如此需要增加開發的費用增加生產成本、延長產品開發周期；

2.增加更高電壓MOSFET功率芯片的開發，就會增加不同MOSFET功率芯片的庫存成本；

3.另一種方式就是采用多顆單一MOSFET功率芯片封裝體，再進行多個低功率的MOSFET功率芯片進行串聯，并焊接在PCB板(PCB)，以增加電壓，如此會增加單一封裝體的數量，亦增加了封裝體的數量及塑封體的生產成本；

4.多顆單一MOSFET功率芯片的封裝體串聯焊接在PCB板(PCB)上的同時，又增加了PCB板的使用面積，如此又增加了PCB板面積的生產成本與庫存成本。

5.現有MOSFET功率芯片的封裝體均為通過塑封體將功率芯片完全包覆，當功率較高時，散熱不及時，極易因為由于功率芯片溫度過高而導致損壞。

所以上述現有傳統的單一MOSFET功率芯片，所呈現的缺陷亦是目前業界急待克服與降低成本的趨勢，也是目前需要MOSFET高電壓芯片加速快充電領域想要降低成本的難點。

發明內容

本發明提供一種充分外露型雙芯串聯封裝體，可以解決現有技術中單一功率芯片封裝方式所存在的成本較高、開發周期長、散熱效果差的問題。

本發明還提供了一種充分外露型雙芯串聯封裝體的封裝方法，用于制備上述封裝體。

本發明還提供了一種PCB板，可以減小線路板面積，降低PCB板生產成本。

一種充分外露型雙芯串聯封裝體，包括引線框架、第一芯片、第二芯片和塑封體，還包括源極導電板和柵極導電板；

所述源極導電板及所述柵極導電板、所述第二芯片、所述第一芯片和所述引線框架由上至下依次布置，所述源極導電板和所述柵極導電板均位于所述第二芯片上方；其中，

所述第一芯片的漏極通過基島連接至漏極引腳，所述第二芯片的漏極與所述第一芯片的源極相貼合；

所述第二芯片的源極通過所述源極導電板連接至源極引腳；