[發(fā)明專(zhuān)利]垂直解碼器以及相關(guān)存儲(chǔ)器裝置和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211037560.5
• 申請(qǐng)日: 2019-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115457993A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·雷達(dá)埃利;F·佩里茲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C5/02
• 分類(lèi)號(hào): G11C5/02;G11C5/06;G11C8/10;G11C11/56;G11C13/00;H01L27/06;H01L27/108;H01L27/11509;H01L27/11512
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及垂直解碼器以及相關(guān)存儲(chǔ)器裝置和方法。存儲(chǔ)器裝置可包含襯底、與所述襯底耦合的存儲(chǔ)器單元陣列及與所述襯底耦合的解碼器。所述解碼器可經(jīng)配置以作為存取操作的部分將電壓施加到所述存儲(chǔ)器單元陣列的存取線。所述解碼器可包含經(jīng)配置以載送施加到所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述存取線的所述電壓的第一導(dǎo)電線。在一些情況中，所述解碼器可包含沿第一方向(例如，遠(yuǎn)離所述襯底的表面)在所述第一導(dǎo)電線與所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述存取線之間延伸的摻雜材料，且所述摻雜材料可經(jīng)配置以選擇性地將所述解碼器的所述第一導(dǎo)電線與所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述存取線耦合。

分案申請(qǐng)的相關(guān)信息

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2019年10月31日、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01980078610.4”、發(fā)明名稱(chēng)為“垂直解碼器以及相關(guān)存儲(chǔ)器裝置和方法”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

交叉參考

本專(zhuān)利申請(qǐng)案主張雷代利(Redaelli)等人在2019年10月31日申請(qǐng)的標(biāo)題為“垂直解碼器(VERTICAL DECODER)”的第PCT/US2019/059037號(hào)PCT申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，所述PCT申請(qǐng)案主張雷代利等人在2018年11月30日申請(qǐng)的標(biāo)題為“垂直解碼器(VERTICAL DECODER)”的第16/206,006號(hào)美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)案中的每一者讓渡給其受讓人且所述申請(qǐng)案中的每一者的全部?jī)?nèi)容以引用的方式明確并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

技術(shù)領(lǐng)域涉及一種垂直解碼器。

背景技術(shù)

下文大體上涉及操作存儲(chǔ)器陣列且更明確來(lái)說(shuō)涉及一種垂直解碼器。

存儲(chǔ)器裝置廣泛用于將信息存儲(chǔ)于各種電子裝置中，例如計(jì)算機(jī)、相機(jī)、數(shù)字顯示器及類(lèi)似者。通過(guò)編程存儲(chǔ)器裝置的不同狀態(tài)而存儲(chǔ)信息。舉例來(lái)說(shuō)，二進(jìn)制裝置具有兩個(gè)狀態(tài)，其通常由邏輯“1”或邏輯“0”表示。在其它系統(tǒng)中，可存儲(chǔ)更多個(gè)狀態(tài)。為存取所存儲(chǔ)的信息，電子裝置的組件可讀取或感測(cè)存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)狀態(tài)。為存儲(chǔ)信息，電子裝置的組件可將狀態(tài)寫(xiě)入或編程于存儲(chǔ)器裝置中。

存在各種類(lèi)型的存儲(chǔ)器裝置，包含磁性硬盤(pán)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步動(dòng)態(tài)RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器(PCM)等等。存儲(chǔ)器裝置可為易失性或非易失性。非易失性存儲(chǔ)器單元可甚至在不存在外部電源的情況下長(zhǎng)時(shí)間維持其存儲(chǔ)邏輯狀態(tài)。易失性存儲(chǔ)器單元可隨時(shí)間丟失其存儲(chǔ)狀態(tài)，除非其通過(guò)外部電源周期性刷新。

改進(jìn)存儲(chǔ)器裝置通常可包含增加存儲(chǔ)器單元密度、增加讀取/寫(xiě)入速度、增加可靠性、增加數(shù)據(jù)保留、減少功率消耗、或減少制造成本以及其它度量。可需要用于節(jié)省存儲(chǔ)器陣列中的空間、增加存儲(chǔ)器單元密度或減少存儲(chǔ)器陣列的總功率使用的經(jīng)改進(jìn)解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

描述一種存儲(chǔ)器裝置。所述存儲(chǔ)器裝置可包含：襯底；存儲(chǔ)器單元陣列，其與所述襯底耦合；及解碼器，其與所述襯底耦合且經(jīng)配置以作為存取操作的部分將電壓施加到所述存儲(chǔ)器單元陣列的存取線。所述解碼器可包含：第一導(dǎo)電線，其經(jīng)配置以載送施加到所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述存取線的所述電壓；及摻雜材料，其沿遠(yuǎn)離所述襯底的表面的第一方向在所述第一導(dǎo)電線與所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述存取線之間延伸，所述摻雜材料經(jīng)配置以選擇性地將所述解碼器的所述第一導(dǎo)電線與所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述存取線耦合。

描述一種存儲(chǔ)器裝置。所述存儲(chǔ)器裝置可包含：襯底；及解碼器，其與所述襯底耦合且經(jīng)配置以作為存取操作的部分選擇存儲(chǔ)器單元。所述解碼器可包含：第一導(dǎo)電線，其經(jīng)配置以作為所述存取操作的部分載送用于選擇所述存儲(chǔ)器單元的電壓；及摻雜材料，其在所述第一導(dǎo)電線與將所述解碼器與所述存儲(chǔ)器單元耦合的觸點(diǎn)之間延伸且經(jīng)配置以作為所述存取操作的部分選擇性地將所述第一導(dǎo)電線與所述觸點(diǎn)耦合。