[發明專利]垂直解碼器以及相關存儲器裝置和方法

在審

• 申請號: 202211037560.5
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN115457993A
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: A·雷達埃利;F·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02;G11C5/06;G11C8/10;G11C11/56;G11C13/00;H01L27/06;H01L27/108;H01L27/11509;H01L27/11512
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器裝置，其包括：

存儲器單元陣列；及

解碼器，其與所述存儲器單元陣列耦合，所述解碼器包括：

第一導電線；及

摻雜材料，其沿第一方向在所述第一導電線與所述存儲器單元陣列的存取線之間延伸。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述解碼器經配置以作為存取操作的一部分而將電壓施加到所述存儲器單元陣列的所述存取線。

3.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其中所述第一導電線經配置以載送施加到所述存儲器單元陣列的所述存取線的所述電壓。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述摻雜材料經配置以選擇性地將所述解碼器的所述第一導電線與所述存儲器單元陣列的所述存取線耦合。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

襯底，其中所述解碼器與所述襯底耦合，且其中所述摻雜材料沿遠離所述襯底的表面的所述第一方向延伸。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一導電線與所述摻雜材料的氧化物直接耦合。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述摻雜材料具有第一摻雜區及第二摻雜區，其中所述第一摻雜區與襯底的表面相距第一距離且所述第二摻雜區與所述襯底的所述表面相距第二距離。

8.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其中所述第一摻雜區包括第一摻雜材料且所述第二摻雜區包括與所述第一摻雜材料相同的第二摻雜材料。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器單元陣列的每一存儲器單元包括硫屬化物材料。

10.一種存儲器裝置，其包括：

第一解碼器，其與襯底耦合且經配置以作為存取操作的一部分而選擇存儲器單元，所述第一解碼器包括：

第一導電線；及

第一摻雜材料，其在所述第一導電線與第一觸點之間延伸，所述第一觸點將所述第一解碼器與所述存儲器單元耦合。

11.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述第一導電線經配置以作為所述存取操作的一部分而載送用于選擇所述存儲器單元的第一電壓。

12.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述第一摻雜材料經配置以作為所述存取操作的一部分而選擇性地將所述第一導電線與所述第一觸點耦合。

13.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述第一摻雜材料從由所述襯底的表面界定的平面正交地延伸。

14.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第二解碼器，其與所述襯底耦合，所述第二解碼器包括：

第二導電線；及

第二摻雜材料，其在所述第二導電線與第二觸點之間延伸，其中所述第二觸點的長度不同于所述第一觸點的長度。

15.根據權利要求14所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第三解碼器，其與所述襯底耦合，所述第三解碼器包括：

第三導電線；及

第三摻雜材料，其在所述第三導電線與第三觸點之間延伸，其中所述第三觸點的長度不同于所述第二觸點的所述長度。

16.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第二摻雜材料，其在第二導電線與第二觸點之間延伸；及

第三摻雜材料，其在第三導電線與第三觸點之間延伸，其中所述第一觸點，所述第二觸點及所述第三出點經配置為交錯配置。

17.根據權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述存儲器單元包括硫屬化物材料。