[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211033661.5
• 申請(qǐng)日: 2022-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115939083A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李率;金玟澈
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: TSE有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L23/544
• 代理公司: 北京鍾維聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11579
• 代理人: 羅銀燕

1.一種半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，包括：

下部插口，安裝在用于提供測(cè)試信號(hào)的測(cè)試器，與下部封裝的下部端子相聯(lián)接，使得上述下部封裝與上述測(cè)試器實(shí)現(xiàn)電連接；

推動(dòng)器，能夠從驅(qū)動(dòng)部接收動(dòng)力來(lái)上下移動(dòng)；

上部插口，安裝在上述推動(dòng)器并具有導(dǎo)電部，上述導(dǎo)電部設(shè)置在上部封裝的下部并與上部封裝的下部端子實(shí)現(xiàn)電連接；

真空拾取器，安裝在上述上部插口的中心，以能夠真空吸附上述下部封裝；以及

非彈性絕緣片，設(shè)置在上述上部插口與上述上部封裝之間，在與上述上部封裝的端子和上述導(dǎo)電部相對(duì)應(yīng)的位置形成有貫通孔，在與上述上部插口相對(duì)應(yīng)的下表面形成有真空空間部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，上述非彈性絕緣片的真空空間部呈長(zhǎng)凹槽形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，在上述真空空間部形成有用于補(bǔ)償上述凹槽的高度的多個(gè)防變形柱體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，上述非彈性絕緣片通過(guò)在聚酰亞胺、FR4、工程塑膠或金屬中的一個(gè)形成絕緣鍍層來(lái)制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，供給到上述推動(dòng)器的真空壓力經(jīng)過(guò)上述真空空間部施加到上述真空拾取器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，上述上部插口以通過(guò)粘結(jié)劑真空密封的方式附著在上述推動(dòng)器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，在上述上部插口的上述導(dǎo)電部中，多個(gè)導(dǎo)電粒子沿著厚度方向排列形成在彈性絕緣物質(zhì)內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，上述上部封裝或上述下部封裝的下部端子為焊球型或焊盤(pán)型中的一種。

9.一種半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，包括：下部插口，安裝在用于提供測(cè)試信號(hào)的測(cè)試器，與下部封裝的下部端子相聯(lián)接，使得上述下部封裝與上述測(cè)試器實(shí)現(xiàn)電連接；推動(dòng)器，能夠從驅(qū)動(dòng)部接收動(dòng)力來(lái)上下移動(dòng)；以及上部插口，安裝在上述推動(dòng)器并具有導(dǎo)電部，上述導(dǎo)電部設(shè)置在作為優(yōu)質(zhì)封裝的上部封裝的下部并與上部封裝的下部端子實(shí)現(xiàn)電連接，上述半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置的特征在于，

上述上部封裝的下部端子采用焊球型，在與上述導(dǎo)電部直接接觸的上述上部封裝的下部端子的上部形成有抗氧化金屬鍍層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，在上述上部封裝的下部端子的表面與上述抗氧化金屬鍍層之間形成有鍍鎳層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體封裝測(cè)試裝置，其特征在于，上述抗氧化金屬為金、鈀、銠、鈷或其中兩種以上金屬的合金。