[發(fā)明專利]掩膜板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211027369.2
• 申請日: 2022-08-25
• 公開（公告）號: CN115747712A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張峰杰;王路;孫中元;王偉杰;薛金祥
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;C25D1/10;C25D1/08
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 雷思鳴

本申請公開了一種掩膜板及其制造方法，屬于蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域。一種掩膜板包括，包括：硅基框架和金屬子掩膜板。由于采用金屬材料制成的金屬子掩膜板的厚度較小，因此，該掩膜板內(nèi)的像素開孔的深寬比較小。在采用這種掩膜板進行蒸鍍的過程中，蒸鍍材料不易附著在像素開孔的內(nèi)壁上，使得掩膜板中的像素開孔不易被堵塞，有效的提高了采用這種掩膜板在待蒸鍍的基板上形成的圖案化的膜層的質(zhì)量，進而可以提高后續(xù)制備出的顯示面板的顯示效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜板及其制造方法。

背景技術(shù)

在有機發(fā)光二極管(英文：Organic Light-Emitting Diode；簡稱：OLED)顯示面板制備過程中，需采用高精度金屬掩膜板(英文：Fine Metal Mask；簡稱：FMM)對待蒸鍍的基板的進行遮擋。然后采用蒸鍍設(shè)備將蒸鍍材料蒸鍍至待蒸鍍的基板中未被掩膜板遮擋的區(qū)域，以形成圖形化的膜層。

隨著市場對高分辨率的OLED顯示面板的需求增加，對FMM工藝的要求也越來越高。然而傳統(tǒng)的制備FMM的工藝已達到了其工藝極限，已無法滿足高分辨率的OLED顯示面板要求。為此，目前通常在硅基襯底上制作尺寸更小的開孔，以得到能夠滿足高分辨率要求的硅基掩膜板。

然而，目前的硅基掩膜板的厚度較大，在采用硅基掩膜板進行蒸鍍的過程中，蒸鍍材料極易堵塞硅基掩膜板上的開孔，導(dǎo)致通過硅基掩膜板在待蒸鍍的基板上形成的圖案化的膜層的質(zhì)量較差，進而會影響后續(xù)制備出的顯示面板的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例提供了一種掩膜板及其制造方法。可以解決現(xiàn)有技術(shù)的硅基掩膜板在蒸鍍的基板上形成的圖案化的膜層的質(zhì)量較差問題，所述技術(shù)方案如下：

一方面，提供了一種掩膜板，包括：

硅基框架，所述硅基框架具有多個蒸鍍開口；

與所述硅基框架的一側(cè)連接的金屬子掩膜板，所述金屬子掩膜板具有與所述多個蒸鍍開口一一對應(yīng)的多個掩膜部分，所述掩膜部分具有與對應(yīng)的蒸鍍開口連通的陣列排布的多個像素開孔；

其中，所述金屬子掩膜板的厚度小于所述硅基框架的厚度。

可選的，所述掩膜板還包括：位于所述硅基框架與所述金屬子掩膜板之間的電鑄種子層，所述金屬子掩膜板還具有位于兩個相鄰的所述掩膜部分之間的連接部分，所述連接部分通過所述電鑄種子層與所述硅基框架連接。

可選的，所述蒸鍍開口在所述硅基框架的厚度方向上貫穿整個所述硅基框體，所述電鑄種子層具有與所述多個蒸鍍開口一一對應(yīng)連通的多個輔助蒸鍍開口，所述輔助蒸鍍開口在平行于所述掩膜板的目標(biāo)平面上的正投影，位于對應(yīng)的蒸鍍開口在所述目標(biāo)平面上的正投影內(nèi)。

可選的，所述蒸鍍開口在所述硅基框架的厚度方向上僅貫穿所述硅基框體中的一部分，且所述蒸鍍開口位于所述硅基框架背離所述金屬子掩膜板的一側(cè)；

所述電鑄種子層具有與所述多個像素開孔一一對應(yīng)連通的多個第一輔助像素開孔，所述硅基框架靠近所述金屬子掩膜板的一側(cè)具有與所述多個第一輔助像素開孔一一對應(yīng)連通的多個第二輔助像素開孔；

其中，所述像素開孔在平行于所述掩膜板的目標(biāo)平面上的正投影，位于對應(yīng)的第一輔助像素開孔在所述目標(biāo)平面上的正投影內(nèi)，且位于對應(yīng)的第二輔助像素開孔在所述目標(biāo)平面上的正投影內(nèi)。

可選的，所述像素開孔在所述目標(biāo)平面上的正投影的外邊界與對應(yīng)的第一輔助像素開孔在所述目標(biāo)平面上的正投影的外邊界之間的距離范圍為：0.5微米至1微米。

可選的，第一輔助像素開孔在所述目標(biāo)平面上的正投影的外邊界與對應(yīng)的第二輔助像素開孔在所述目標(biāo)平面上的正投影的外邊界重合。

可選的，所述硅基框架包括：層疊設(shè)置的第一硅層、埋氧化層和第二硅層，所述第二硅層相對于所述第一硅層更靠近所述電鑄種子層；