[發明專利]掩膜板及其制造方法

在審

• 申請號: 202211027369.2
• 申請日: 2022-08-25
• 公開（公告）號: CN115747712A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 張峰杰;王路;孫中元;王偉杰;薛金祥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;C25D1/10;C25D1/08
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 雷思鳴

1.一種掩膜板，其特征在于，包括：

硅基框架，所述硅基框架具有多個蒸鍍開口；

與所述硅基框架的一側連接的金屬子掩膜板，所述金屬子掩膜板具有與所述多個蒸鍍開口一一對應的多個掩膜部分，所述掩膜部分具有與對應的蒸鍍開口連通的陣列排布的多個像素開孔；

其中，所述金屬子掩膜板的厚度小于所述硅基框架的厚度。

2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板還包括：位于所述硅基框架與所述金屬子掩膜板之間的電鑄種子層，所述金屬子掩膜板還具有位于兩個相鄰的所述掩膜部分之間的連接部分，所述連接部分通過所述電鑄種子層與所述硅基框架連接。

3.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述蒸鍍開口在所述硅基框架的厚度方向上貫穿整個所述硅基框體，所述電鑄種子層具有與所述多個蒸鍍開口一一對應連通的多個輔助蒸鍍開口，所述輔助蒸鍍開口在平行于所述掩膜板的目標平面上的正投影，位于對應的蒸鍍開口在所述目標平面上的正投影內。

4.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述蒸鍍開口在所述硅基框架的厚度方向上僅貫穿所述硅基框體中的一部分，且所述蒸鍍開口位于所述硅基框架背離所述金屬子掩膜板的一側；

所述電鑄種子層具有與所述多個像素開孔一一對應連通的多個第一輔助像素開孔，所述硅基框架靠近所述金屬子掩膜板的一側具有與所述多個第一輔助像素開孔一一對應連通的多個第二輔助像素開孔；

其中，所述像素開孔在平行于所述掩膜板的目標平面上的正投影，位于對應的第一輔助像素開孔在所述目標平面上的正投影內，且位于對應的第二輔助像素開孔在所述目標平面上的正投影內。

5.根據權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述像素開孔在所述目標平面上的正投影的外邊界與對應的第一輔助像素開孔在所述目標平面上的正投影的外邊界之間的距離范圍為：0.5微米至1微米。

6.根據權利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第一輔助像素開孔在所述目標平面上的正投影的外邊界與對應的第二輔助像素開孔在所述目標平面上的正投影的外邊界重合。

7.根據權利要求4至6任一所述的掩膜板，其特征在于，所述硅基框架包括：層疊設置的第一硅層、埋氧化層和第二硅層，所述第二硅層相對于所述第一硅層更靠近所述電鑄種子層；

其中，所述蒸鍍開口同時貫穿所述第一硅層和所述埋氧化層，所述第二輔助像素開孔貫穿所述第二硅層。

8.根據權利要求1至6任一所述的掩膜板，其特征在于，所述金屬子掩膜板的厚度小于或等于5微米。

9.一種掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅基框架的一側形成金屬子掩膜板；

其中，所述硅基框架具有多個蒸鍍開口；所述金屬子掩膜板具有與所述多個蒸鍍開口一一對應的多個掩膜部分，所述掩膜部分具有與對應的蒸鍍開口連通的陣列排布的多個像素開孔；

所述金屬子掩膜板的厚度小于所述硅基框架的厚度。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述在硅基框架的一側形成的金屬子掩膜板，包括：

提供硅基襯底；

在所述硅基襯底的一側形成所述金屬子掩膜板，且在所述硅基襯底的另一側形成所述多個蒸鍍開口，以得到帶有所述金屬子掩膜板的所述硅基框架。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述硅基襯底的一側形成所述金屬子掩膜板，包括：

在所述硅基襯底的一側形成電鑄種子層；

在所述電鑄種子層背離所述硅基襯底的一側形成光刻膠圖案；

采用電鑄工藝在所述電鑄種子層背離所述硅基襯底的一側中未被所述光刻膠圖案覆蓋的區域內形成金屬結構；

去除所述光刻膠圖案，以得到所述金屬子掩膜板。