[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211021799.3 | 申請日: | 2022-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN115377158A | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張娟;孫孟娜;焦志強(qiáng);王鵬;黃清雨 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 孫寶海 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本公開提供了一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該顯示面板包括襯底基板,驅(qū)動電路層,設(shè)于襯底基板的一側(cè),包括多個像素電路;第一發(fā)光層,設(shè)于驅(qū)動電路層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),第一發(fā)光層包括多個第一發(fā)光器件,多個像素電路用于一一對應(yīng)地驅(qū)動各第一發(fā)光器件發(fā)光;第二發(fā)光層,設(shè)于驅(qū)動電路層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè),第二發(fā)光層包括多個第二發(fā)光器件,第二發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光晶體管;其中,第二發(fā)光器件在襯底基板上的正投影與第一發(fā)光器件在襯底基板上的正投影不重疊。本公開有助于提高顯示面板的色域和分辨率,改善顯示面板的顯示效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示技術(shù)的發(fā)展,消費(fèi)者對OLED顯示產(chǎn)品提出了更高的要求。目前,OLED顯示面板的色域和分辨率還有待進(jìn)一步提高。
所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的目的在于提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,有助于提高顯示面板的色域和分辨率,改善顯示面板的顯示效果。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本公開采用如下技術(shù)方案:
根據(jù)本公開的第一個方面,提供一種顯示面板,包括:
襯底基板,
驅(qū)動電路層,設(shè)于所述襯底基板的一側(cè),包括多個像素電路;
第一發(fā)光層,設(shè)于所述驅(qū)動電路層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第一發(fā)光層包括多個第一發(fā)光器件,多個所述像素電路用于一一對應(yīng)地驅(qū)動各所述第一發(fā)光器件發(fā)光;
第二發(fā)光層,設(shè)于所述驅(qū)動電路層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第二發(fā)光層包括多個第二發(fā)光器件,所述第二發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光晶體管;
其中,所述第二發(fā)光器件在所述襯底基板上的正投影與所述第一發(fā)光器件在所述襯底基板上的正投影不重疊。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述第一發(fā)光層包括:
第一電極層,設(shè)于所述驅(qū)動電路層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第一電極層包括多個間隔分布的所述第一發(fā)光器件的第一電極;
像素定義層,設(shè)于所述第一電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述像素定義層設(shè)有多個開口,多個所述開口一一對應(yīng)地暴露各所述第一發(fā)光器件的第一電極;
第一發(fā)光功能層,設(shè)于所述第一電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第一發(fā)光功能層包括多個第一發(fā)光部,多個所述第一發(fā)光部一一對應(yīng)地位于各所述開口內(nèi);
第二電極層,設(shè)于所述第一發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述第一發(fā)光功能層的一側(cè),所述第二電極層包括多個所述第一發(fā)光器件的第二電極;
其中,所述第二發(fā)光器件在所述襯底基板上的正投影與所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
在本公開的一種示例性實(shí)施例中,所述第二發(fā)光層包括:
第二柵極層,設(shè)于所述驅(qū)動電路層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第二柵極層包括多個間隔分布的所述第二發(fā)光器件的柵極;
柵極介質(zhì)層,設(shè)于所述第二柵極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述柵極介質(zhì)層覆蓋所述第二柵極層;
第三電極層,設(shè)于所述柵極介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),所述第三電極層包括多個間隔分布的所述第二發(fā)光器件的第一電極;
第二發(fā)光功能層,設(shè)于所述第三電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





