[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202211021799.3 | 申請日: | 2022-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN115377158A | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發明(設計)人: | 張娟;孫孟娜;焦志強;王鵬;黃清雨 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 孫寶海 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板,
驅動電路層,設于所述襯底基板的一側,包括多個像素電路;
第一發光層,設于所述驅動電路層遠離所述襯底基板的一側,所述第一發光層包括多個第一發光器件,多個所述像素電路用于一一對應地驅動各所述第一發光器件發光;
第二發光層,設于所述驅動電路層遠離所述襯底基板的一側,所述第二發光層包括多個第二發光器件,所述第二發光器件為有機發光晶體管;
其中,所述第二發光器件在所述襯底基板上的正投影與所述第一發光器件在所述襯底基板上的正投影不重疊。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一發光層包括:
第一電極層,設于所述驅動電路層遠離所述襯底基板的一側,所述第一電極層包括多個間隔分布的所述第一發光器件的第一電極;
像素定義層,設于所述第一電極層遠離所述襯底基板的一側,所述像素定義層設有多個開口,多個所述開口一一對應地暴露各所述第一發光器件的第一電極;
第一發光功能層,設于所述第一電極層遠離所述襯底基板的一側,所述第一發光功能層包括多個第一發光部,多個所述第一發光部一一對應地位于各所述開口內;
第二電極層,設于所述第一發光功能層遠離所述第一發光功能層的一側,所述第二電極層包括多個所述第一發光器件的第二電極;
其中,所述第二發光器件在所述襯底基板上的正投影與所述像素定義層在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第二發光層包括:
第二柵極層,設于所述驅動電路層遠離所述襯底基板的一側,所述第二柵極層包括多個間隔分布的所述第二發光器件的柵極;
柵極介質層,設于所述第二柵極層遠離所述襯底基板的一側,所述柵極介質層覆蓋所述第二柵極層;
第三電極層,設于所述柵極介質層遠離所述襯底基板的一側,所述第三電極層包括多個間隔分布的所述第二發光器件的第一電極;
第二發光功能層,設于所述第三電極層遠離所述襯底基板的一側;
第四電極層,設于所述第二發光功能層遠離所述襯底基板的一側,所述第四電極層包括多個所述第二發光器件的第二電極。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二柵極層與所述第一電極層同層設置,所述第二柵極層在所述襯底基板上的正投影與所述第一電極層在所述襯底基板上的正投影不重疊;
所述柵極介質層復用為所述像素定義層。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二發光層包括:
第三電極層,設于所述像素定義層遠離所述襯底基板的一側,所述第三電極層包括多個間隔分布的所述第二發光器件的第一電極;
第二發光功能層,設于所述第三電極層遠離所述襯底基板的一側;
第四電極層,設于所述第二發光功能層遠離所述襯底基板的一側,所述第四電極層包括多個所述第二發光器件的第二電極;
柵極介質層,設于所述第四電極層遠離所述襯底基板的一側,所述柵極介質層覆蓋所述第四電極層;
第二柵極層,設于所述第二柵極層遠離所述襯底基板的一側表面,所述第二柵極層包括多個間隔分布的所述第二發光器件的柵極。
6.根據權利要求3或5所述的顯示面板,其特征在于,所述第三電極層的厚度為100-500nm,所述第三電極層的材料包括不透明材料。
7.根據權利要求3或5所述的顯示面板,其特征在于,所述第四電極層與所述第二電極層同層設置。
8.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述像素定義層的厚度為1-1.5μm,相鄰兩個所述開口之間的像素定義層的坡度角為20-40°,沿所述第一發光器件和所述第二發光器件的排列方向,相鄰兩個所述開口之間的像素定義層的寬度為10-15μm,所述開口的寬度為70-90μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





