[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211017967.1 | 申請(qǐng)日： | 2022-08-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115440865A | 公開（公告）日： | 2022-12-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪加添;陳威;何勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 福建兆元光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/44 | 分類號(hào)： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 董晗 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種LED芯片，其特征在于，包括襯底、N型半導(dǎo)體層、量子阱層、P型半導(dǎo)體層、ITO層、絕緣層以及電極；
所述襯底的一面設(shè)置有所述N型半導(dǎo)體層，所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面的第一預(yù)設(shè)區(qū)域依次層疊有所述量子阱層、所述P型半導(dǎo)體層；
所述電極包括N電極和P電極，所述P型半導(dǎo)體層上方依次設(shè)置有ITO層和P電極；
所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面的第二預(yù)設(shè)區(qū)域設(shè)置有所述N電極；
所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面設(shè)置有所述絕緣層，且所述絕緣層圍繞所述量子阱層和所述P型半導(dǎo)體層以及所述N電極設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于，所述絕緣層遠(yuǎn)離所述N型半導(dǎo)體層的一面與所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述量子阱層的一面齊平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于，還包括電流阻擋層；
所述ITO層靠近所述P型半導(dǎo)體層的一面內(nèi)嵌有所述電流阻擋層；
所述電流阻擋層的位置與所述P電極相對(duì)應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于，所述絕緣層的厚度為
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于，所述電極的厚度為
6.一種LED芯片制備方法，其特征在于，包括步驟：
在襯底上依次生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層、量子阱層和P型半導(dǎo)體層；
刻蝕所述量子阱層和所述P型半導(dǎo)體層，保留第一預(yù)設(shè)區(qū)域的所述量子阱層和所述P型半導(dǎo)體層；
在所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面沉積絕緣層，所述絕緣層圍繞所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域和第二預(yù)設(shè)區(qū)域設(shè)置；
在所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述量子阱層的一面濺射ITO層，并在所述ITO層遠(yuǎn)離所述P型半導(dǎo)體層的一面蒸鍍P電極；
在所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面的所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域蒸鍍N電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種LED芯片制備方法，其特征在于，在所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面沉積絕緣層之后包括：
使用緩沖氧化物腐蝕所述絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種LED芯片制備方法，其特征在于，在所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面沉積絕緣層還包括：
將所述絕緣層的高度沉積至與所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述量子阱層的一面齊平的位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種LED芯片制備方法，其特征在于，在所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述量子阱層的一面濺射ITO層包括：
在所述P型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述量子阱層的一面的預(yù)設(shè)位置生長(zhǎng)電流阻擋層；
在所述電流阻擋層和所述P型半導(dǎo)體層上方濺射ITO層；
在所述ITO層遠(yuǎn)離所述P型半導(dǎo)體層的一面蒸鍍P電極包括：
在所述ITO層遠(yuǎn)離所述P型半導(dǎo)體層的一面且與所述電流阻擋層對(duì)應(yīng)的位置上蒸鍍P電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種LED芯片制備方法，其特征在于，在所述N型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底的一面沉積絕緣層還包括：沉積厚度為的絕緣層。
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