[發明專利]顯示面板和電子終端在審
| 申請號: | 202211000809.5 | 申請日: | 2022-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN115394796A | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發明(設計)人: | 羅傳寶 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊瑞 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 電子 終端 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
有源層,位于所述基板上,包括溝道部、位于所述溝道部兩側的導體化部;
第一導電層,位于所述有源層靠近或者遠離所述基板的一側,包括柵極,所述柵極在所述基板上的投影與所述溝道部在所述基板上的投影重疊;
第二導電層,位于所述有源層遠離所述基板的一側,包括連接于其中一所述導體化部的源極;
其中,所述源極和連接于另一所述導體化部的漏極異層設置,所述源極在所述基板上的投影與所述柵極在所述基板上的投影重疊。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述源極在所述基板上的投影完全覆蓋所述柵極在所述基板上的投影。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一導電層還包括與所述柵極同層且間隔設置的所述漏極,所述漏極在所述基板上的投影和所述柵極在所述基板上的投影具有第一間隙。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述源極在所述基板上的投影與所述第一間隙重疊。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一導電層位于所述第二導電層和所述有源層之間,所述顯示面板還包括:
鈍化層,位于所述第一導電層和所述第二導電層之間;
其中,所述導體化部包括第一導體化部、位于所述第一導體化部和所述溝道部之間的第二導體化部,所述第二導體化部在所述基板上的投影重疊于所述第一間隙,且所述第二導體化部中氫元素的濃度大于所述溝道部中氫元素的濃度。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
阻隔層,位于所述鈍化層遠離所述基板的一側,所述阻隔層的組成材料包括氧化鋁、氧化鈦中的至少一者。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二導電層還包括與所述源極同層且間隔設置的第一電極部,所述第一電極部連接于所述漏極;
其中,所述第一電極部在所述基板上的投影與所述有源層在所述基板上的投影與具有第二間隙,所述源極在所述基板上的投影與所述第二間隙重疊。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述源極的組成材料和所述第一電極部的組成材料均包括金屬、金屬氧化物中的至少一者。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
第一柵極絕緣層,位于所述有源層和所述第一導電層之間;
絕緣層,位于所述第一導電層和所述第二導電層之間,所述漏極位于所述絕緣層和所述第二導電層之間;
鈍化層,位于所述漏極和所述第二導電層之間;
其中,所述漏極在所述基板上的投影與所述柵極在所述基板上的投影重疊。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述源極在所述基板上的投影完全覆蓋所述柵極在所述基板上的投影,所述漏極在所述基板上的投影完全覆蓋所述柵極在所述基板上的投影。
11.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
第一柵極絕緣層,位于所述有源層和所述第一導電層之間;
鈍化層,位于所述第一導電層和所述第二導電層之間;
遮光層,位于所述有源層靠近所述基板的一側,所述遮光層在所述基板上的投影覆蓋所述有源層在所述基板上的投影;
其中,所述漏極和所述遮光層同層設置。
12.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:
遮光層,位于所述有源層靠近所述基板的一側,所述遮光層在所述基板上的投影覆蓋所述有源層在所述基板上的投影,所述遮光層的一端連接于所述源極、所述漏極中的至少一者。
13.一種電子終端,其特征在于,所述電子終端包括如權利要求1至12任一所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





