[發明專利]用于在導電層中形成開口和使用開口的方法

在審

• 申請號: 202210993525.4
• 申請日: 2022-08-18
• 公開（公告）號: CN115938935A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 巴山剛;小冢計介
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H10B12/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 江泰維

1.一種方法，其包括：

形成導電層；

在所述導電層上形成第一硬掩模；

在所述第一硬掩模上形成第二硬掩模；

提供穿過所述第一硬掩模和所述第二硬掩模的開口；以及

去除所述導電層在所述開口下方的表面，

其中所述第一硬掩模的硬度大于所述第二硬掩模的硬度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模的所述硬度大于所述導電層的硬度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電層包括多晶硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模包括金屬。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二硬掩模包括氧化硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中通過光刻提供穿過所述第一硬掩模和所述第二硬掩模的所述開口。

7.根據權利要求1所述的方法，其中去除包括通過所述開口施加一或多個帶電粒子束。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述一或多個帶電粒子束包括離子束。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述離子束包括鹵素離子束。

10.一種方法，其包括：

通過以下形成位線觸點，位于所述位線觸點上的位線以及位于所述位線觸點上的介電膜：在所述位線觸點、所述位線以及所述介電膜的側上形成在第一方向上延伸的第一開口；

在所述第一開口中的所述位線觸點和所述位線以及所述介電膜的所述側上形成一或多個介電膜；

將導電材料沉積于所述第一開口中；

通過在第二方向上延伸的第二開口在所述導電材料上提供多個第一硬掩模且在所述多個對應第一硬掩模上提供多個第二硬掩模；

去除所述第二開口下方的所述導電材料以形成第三開口；以及

將介電材料沉積于所述第三開口中。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一硬掩模的硬度大于所述第二硬掩模的硬度。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述第一硬掩模包括金屬。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述第二硬掩模包括氧化硅。

14.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一硬掩模的硬度大于所述導電材料的硬度。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述導電材料包括多晶硅。

16.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括：

去除所述導電材料的頂部部分以形成電容器觸點；以及

沉積另一導電材料以在所述對應電容器觸點上形成重布層。

17.根據權利要求10所述的方法，其中所述導電材料是所述第一材料，且

其中形成所述位線觸點、所述位線以及所述介電膜包括：

在有源區上形成第二導電材料；

在所述第二導電材料上形成第三導電材料；

在所述第三導電材料上形成另一介電材料；

去除所述第二導電材料、所述第三導電材料以及所述另一介電材料的部分以形成所述第一開口。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述有源區是第一有源區，且

其中所述第一開口安置于不同于所述第一有源區的第二有源區和第三有源區上。