[發明專利]發光芯片制作方法及發光芯片

在審

• 申請號: 202210989871.5
• 申請日: 2022-08-17
• 公開（公告）號: CN115528146A
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 薛水源;李路成;李振明
• 申請（專利權）人: 東莞市中麒光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 王志

1.一種發光芯片制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上依次生長色轉換結構制備層以及芯片外延結構層；

從側向對所述色轉換結構制備層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構；

基于所述芯片外延結構層制備若干發出第一光色的晶粒；

向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述色轉換結構制備層形成色轉換層，所述色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色。

2.如權利要求1所述的發光芯片制作方法，其特征在于，所述色轉換結構制備層包括依次設置的第一蝕刻隔斷層、電化學蝕刻層以及第二蝕刻隔斷層，所述第二蝕刻隔斷層上生長有所述芯片外延結構層。

3.如權利要求2所述的發光芯片制作方法，其特征在于，所述從側向對所述色轉換結構制備層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構，具體為：

采用電化學蝕刻工藝從側向對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構。

4.如權利要求3所述的發光芯片制作方法，其特征在于，從側向對所述色轉換結構制備層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構之前，還包括：

沿芯片外延結構層上預設的晶粒間隔對所述芯片外延結構層、第二蝕刻隔斷層和電化學蝕刻層進行第一預分割；

所述第一預分割分割至電化學蝕刻層且不割斷電化學蝕刻層。

5.如權利要求4所述的發光芯片制作方法，其特征在于，所述第一預分割形成第一分割間隙，采用電化學蝕刻工藝從側向對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構，具體為：

采用電化學蝕刻工藝從電化學蝕刻層的側向以及第一分割間隙對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構。

6.如權利要求3或5所述的發光芯片制作方法，其特征在于，采用電化學蝕刻工藝從側向對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構之后還包括：

沿芯片外延結構層上預設的晶粒間隔對所述芯片外延結構層、第二蝕刻隔斷層、電化學蝕刻層和第一蝕刻隔斷層進行第二預分割；

所述第二預分割分割至第一蝕刻隔斷層且不割斷第一蝕刻隔斷層。

7.如權利要求6所述的發光芯片制作方法，其特征在于，所述第二預分割形成第二分割間隙，向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述色轉換結構制備層形成色轉換層，所述色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色之后，還包括：

在所述第二分割間隙內填充有封裝層，所述封裝層封閉所述分割后的電化學蝕刻層的側面。

8.如權利要求7所述的發光芯片制作方法，其特征在于，在所述第二分割間隙內填充有封裝層，所述封裝層封閉所述分割后的電化學蝕刻層的側面之后，還包括：

沿所述芯片外延結構層上預設的晶粒間隔進行分割以形成的單顆發光芯片。

9.如權利要求1所述的發光芯片制作方法，其特征在于，所述襯底具有用于生長所述色轉換結構制備層的第一面以及與第一面相對的第二面，向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述色轉換結構制備層形成色轉換層，所述色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色之前，還包括：

對所述襯底的第二面進行減薄。

10.如權利要求9所述的發光芯片制作方法，其特征在于，在向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述色轉換結構制備層形成色轉換層，所述色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色之后，還包括：

沿所述芯片外延結構層上預設的晶粒間隔分割以形成單顆發光芯片。

11.一種發光芯片，其特征在于，所述發光芯片采用如權利要求1至10任一項所述的發光芯片制作方法制成。