[發明專利]發光芯片制作方法及發光芯片

在審

• 申請號: 202210989871.5
• 申請日: 2022-08-17
• 公開（公告）號: CN115528146A
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 薛水源;李路成;李振明
• 申請（專利權）人: 東莞市中麒光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 王志

本發明公開一種發光芯片制作方法，包括如下步驟：提供襯底；在所述襯底上依次生長色轉換結構制備層以及芯片外延結構層；從側向對所述色轉換結構制備層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構；基于所述芯片外延結構層制備若干所述發出第一光色的晶粒；向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述色轉換結構制備層形成色轉換層，色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色。本發明首先在襯底上制備色轉換結構制備層和芯片外延結構層，然后對色轉換結構制備層側向開孔并側向填充量子點，最終形成發出目標光色的發光芯片，該發光芯片的制作方法無需采用永久鍵合工藝，從而避免了溫度、水汽對量子點的影響，使得制成的發光芯片的顯示效果好。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種發光芯片制作方法及發光芯片。

背景技術

相關技術中，色轉換層需要單獨通過外延生長工藝和電化學蝕刻工藝形成具有多孔結構的支撐基底，并于多孔結構中注入量子點，以制作形成色轉換層，LED芯片則通過常規的LED芯片外延及制造工藝制成。而后，將色轉換層與LED芯片進行永久鍵合。這種分開制作色轉換層和發光芯片的方式，工藝上需要進行永久鍵合，整個過程對溫度敏感、水汽敏感的量子點并不友好，容易影響最終產品的顯示效果。

發明內容

本發明的目的在于提供一種發光芯片制作方法及發光芯片，以解決現有技術中發光芯片中的量子點受溫度、水汽影響而影響顯示效果的問題。

為了實現上述目的，第一方面，本發明提供一種發光芯片制作方法，包括如下步驟：提供襯底；在所述襯底上依次生長色轉換結構制備層以及芯片外延結構層；從側向對所述色轉換結構制備層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構；基于所述芯片外延結構層制備若干發出第一光色的晶粒；向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述色轉換結構制備層形成色轉換層，所述色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色。

優選地，所述色轉換結構制備層包括依次設置的第一蝕刻隔斷層、電化學蝕刻層以及第二蝕刻隔斷層，所述第二蝕刻隔斷層上生長有所述芯片外延結構層。

優選地，所述從側向對所述色轉換結構制備層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構，具體為：采用電化學蝕刻工藝從側向對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構。

優選地，從側向對所述色轉換結構制備層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構之前，還包括：沿芯片外延結構層上預設的晶粒間隔對所述芯片外延結構層、第二蝕刻隔斷層和電化學蝕刻層進行第一預分割；所述第一預分割分割至電化學蝕刻層且不割斷電化學蝕刻層。

優選地，所述第一預分割形成第一分割間隙，采用電化學蝕刻工藝從側向對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構，具體為：采用電化學蝕刻工藝從電化學蝕刻層的側向以及第一預分割間隙對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構。

優選地，采用電化學蝕刻工藝從側向對所述電化學蝕刻層進行開孔以形成包含多個孔洞的多孔結構之后還包括：沿芯片外延結構層上預設的晶粒間隔對所述芯片外延結構層、第二蝕刻隔斷層、電化學蝕刻層和第一蝕刻隔斷層進行第二預分割；所述第二預分割分割至第一蝕刻隔斷層且不割斷第一蝕刻隔斷層。

優選地，所述第二預分割形成第二分割間隙，向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述電化學蝕刻層形成色轉換層，所述色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色之后，還包括：在所述第二分割間隙內填充有封裝層，所述封裝層封閉所述分割后的電化學蝕刻層的側面。

優選地，在所述第二分割間隙內填充有封裝層，所述封裝層封閉所述分割后的電化學蝕刻層的側面之后，還包括：沿所述芯片外延結構層上預設的晶粒間隔進行分割以形成的單顆發光芯片。

優選地，所述襯底具有用于生長所述色轉換結構制備層的第一面以及與第一面相對的第二面，向所述多孔結構的孔洞中注入量子點以使得所述色轉換結構制備層形成色轉換層，所述色轉換層用于將第一光色轉換為目標光色之前，還包括：對所述襯底的第二面進行減薄。