[發明專利]一種大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法有效
| 申請號： | 202210982776.2 | 申請日： | 2022-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN115354392B | 公開（公告）日： | 2023-09-01 |
| 發明（設計）人： | 何軍;史建平;李輝;楊俊波;李曉輝 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | C30B25/00 | 分類號： | C30B25/00;C30B29/46;C30B29/64 |
| 代理公司： | 武漢智權專利代理事務所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 馬麗娜 |
| 地址： | 430072*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 尺寸 二硫化鉬 制備 方法 | ||
1.一種大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
將硫源置于第一溫區，將鉬源及氯化亞鐵粉置于第二溫區，將藍寶石襯底置于第三溫區；
使載氣依次通過所述第一溫區、所述第二溫區和所述第三溫區；
將所述第一溫區、所述第二溫區和所述第三溫區升溫至各自的預定溫度，進行單晶二硫化鉬的生長；
所述硫源、所述鉬源和所述氯化亞鐵粉之間的質量比為(200～230)：(8～10)：(1～3)；
所述第一溫區的預定溫度為190～230℃，所述第二溫區的預定溫度為900～910℃，所述第三溫區的預定溫度為900～910℃；
所述硫源和所述鉬源之間的距離為8～10cm；
和/或所述鉬源與所述藍寶石襯底之間的距離為1～3cm。
2.如權利要求1所述的大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法，其特征在于，所述硫源包括硫粉；
和/或所述鉬源包括三氧化鉬粉。
3.如權利要求1所述的大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法，其特征在于，所述單晶二硫化鉬的生長時間為5～60min。
4.如權利要求1所述的大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法，其特征在于，所述載氣的流速為60～80sccm。
5.如權利要求1所述的大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法，其特征在于，放置藍寶石襯底之前還包括：
去除所述藍寶石襯底表面的雜質。
6.如權利要求1所述的大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法，其特征在于，在將載氣通過所述第一溫區、所述第二溫區和所述第三溫區之前，所述制備方法還包括：
將所述第一溫區、所述第二溫區和所述第三溫區抽真空至5Pa以下。
7.如權利要求1所述的大尺寸單晶二硫化鉬的制備方法，其特征在于，單晶二硫化鉬生長結束后，停止通入載氣，將所述第一溫區、所述第二溫區和所述第三溫區降至室溫，得到所述大尺寸單晶二硫化鉬。
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