[發明專利]一種厚電極及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202210977403.6
• 申請日: 2022-08-15
• 公開（公告）號: CN115207268A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 孫偉兵;劉范芬;苑丁丁;張林
• 申請（專利權）人: 湖北億緯動力有限公司
• 主分類號: H01M4/04
• 分類號: H01M4/04;H01M4/13;H01M4/139;H01M10/0525
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 劉二艷

1.一種厚電極的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)將電極漿料涂覆于電極集流體表面，烘烤，得到半固態涂層厚電極；

(2)對步驟(1)所述半固態涂層厚電極中的半固態涂層進行微米級開槽處理，烘干，輥壓，得到所述厚電極。

2.根據權利要求1所述的厚電極的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述半固態涂層厚電極的固含量為70～90％。

3.根據權利要求1或2所述的厚電極的制備方法，其特征在于，所述厚電極的面密度為100～1000g/m²；

優選地，所述厚電極的電極涂層厚度為100～1000μm。

4.根據權利要求1-3任一項所述的厚電極的制備方法，其特征在于，所述厚電極包括正極厚電極和/或負極厚電極；

優選地，所述正極厚電極的半固態涂層的固含量為80～90％；

優選地，所述負極厚電極的半固態涂層的固含量為70～80％；

優選地，所述負極厚電極為硅基負極厚電極。

5.根據權利要求1-4任一項所述的厚電極的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述微米級開槽處理為陣列式微米級開槽處理。

6.根據權利要求5所述的厚電極的制備方法，其特征在于，經過所述陣列式微米級開槽處理后，每個槽的寬度為50～200μm；

優選地，經過所述陣列式微米級開槽處理后，槽的深度為所述半固態涂層的厚度的10～100％；

優選地，經過所述陣列式微米級開槽處理后，槽與槽之間的間隙為50～500μm。

7.根據權利要求1-6任一項所述的厚電極的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述微米級開槽處理包括抽吸式開槽處理和/或刮涂式開槽處理，優選為抽吸式開槽處理；

優選地，所述抽吸式開槽處理為真空抽吸式開槽處理；

優選地，所述真空抽吸式開槽處理的真空度為-10～-30kPa。

8.根據權利要求1-7任一項所述的厚電極的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)將電極漿料涂覆于電極集流體表面，烘烤，得到固含量為70～90％的半固態涂層厚電極；

(2)對步驟(1)所述半固態涂層厚電極中的半固態涂層進行陣列式微米級開槽處理，在半固態涂層表面得到寬度為50～200μm、深度為所述半固態涂層的厚度的10～100％的槽，槽與槽之間的間隙為50～500μm，烘干，輥壓，得到所述厚電極。

9.一種厚電極，其特征在于，所述厚電極由如權利要求1-8任一項所述的厚電極的制備方法制備得到。

10.一種鋰離子電池，其特征在于，所述鋰離子電池包括如權利要求9所述的厚電極。