[發明專利]一種電極顆粒填充的處理方法、裝置、設備及介質在審
| 申請號: | 202210977067.5 | 申請日: | 2022-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN115186511A | 公開(公告)日: | 2022-10-14 |
| 發明(設計)人: | 鐘文彬;王士君;其他發明人請求不公開姓名 | 申請(專利權)人: | 浙江吉利控股集團有限公司;吉利汽車研究院(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G06F119/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 馬德舉 |
| 地址: | 310000 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電極 顆粒 填充 處理 方法 裝置 設備 介質 | ||
1.一種電極顆粒填充的處理方法,其特征在于,包括:
基于預設的電極尺寸數據,建立所述電極的二維模型;
根據所述電極尺寸數據生成所述電極內部的顆粒群,所述顆粒群中聚合多個顆粒單元;
將一個所述顆粒單元生成至所述二維模型內,創建所述顆粒單元所處的區域為填充區,創建所述二維模型內的其余區域為未填充區;
在剩余的所述顆粒單元中,每次將其中一個所述顆粒單元生成至所述未填充區內,并移動所述顆粒單元,直至滿足預設狀態為止,其中,所述預設狀態包括移動的所述顆粒單元的兩側與所述填充區內的顆粒單元相切,或移動的所述顆粒單元的一側與所述填充區內的顆粒單元相切,另一側與所述二維模型的邊界相切,或移動的所述顆粒單元的兩側與所述二維模型的邊界相切;
獲取所述二維模型內每個顆粒單元的特征數據,所述特征數據包括面積數據與坐標數據;
基于所述特征數據與所述電極尺寸數據,計算所述電極的孔隙率。
2.根據權利要求1所述的電極顆粒填充的處理方法,其特征在于,所述基于預設的電極尺寸數據,建立所述電極的二維模型的步驟包括:
預設所述電極的尺寸數據,所述尺寸數據包括長度參數與厚度參數;
基于所述長度參數與所述厚度參數,建立所述電極的二維模型。
3.根據權利要求1所述的電極顆粒填充的處理方法,其特征在于,所述根據所述電極尺寸數據生成所述電極內部的顆粒群,所述顆粒群聚合多個顆粒單元的步驟包括:
根據所述電極尺寸數據,查詢歷史群中所述尺寸數據對應的顆粒單元數據,其中,所述歷史群中包括多個電極尺寸數據及對應的顆粒單元數據,所述顆粒單元數據包括多個顆粒單元。
匯總所述顆粒單元數據,生成顆粒群。
4.根據權利要求1所述的電極顆粒填充的處理方法,其特征在于,所述在剩余的所述顆粒單元中,每次將其中一個所述顆粒單元生成至所述未填充區內,并移動所述顆粒單元,直至滿足預設狀態為止的步驟,包括:
基于所述未填充區內顆粒單元與所述填充區內顆粒單元的距離數據,設置所述未填充區內顆粒單元的移動速度;
當所述未填充區的顆粒單元移動至滿足預設狀態時,停止移動所述顆粒單元。
5.根據權利要求4所述的電極顆粒填充的處理方法,其特征在于,所述當所述未填充區的顆粒單元移動至滿足預設狀態時,停止移動所述顆粒單元的步驟之后,還包括:
判斷所述未填充區的面積值是否小于剩余的所述顆粒單元的最小面積值;
當不小于所述最小面積值時,繼續將所述顆粒單元生成至所述未填充區內;
當小于所述最小面積值時,停止將所述顆粒單元生成至所述未填充區內。
6.根據權利要求5所述的電極顆粒填充的處理方法,其特征在于,所述判斷所述未填充區的面積值是否小于剩余的所述顆粒單元的最小面積值的步驟,包括:
基于所述二維模型內顆粒單元的面積數據與所述電極尺寸數據,計算所述未填充區的面積值與剩余的所述顆粒單元的最小面積值;
判斷所述未填充區的面積值是否小于剩余的所述顆粒單元的最小面積值。
7.根據權利要求1所述的電極顆粒填充的處理方法,其特征在于,所述基于所述特征數據與所述電極尺寸數據,計算所述電極的孔隙率的步驟,包括:
基于所述二維模型內顆粒單元的面積數據與所述電極尺寸數據計算電極的孔隙率;
基于所述二維模型內顆粒單元的坐標數據與所述電極尺寸數據計算電極的迂曲度。
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