[發明專利]組件管芯及其制造方法

在審

• 申請號: 202210962972.3
• 申請日: 2022-08-11
• 公開（公告）號: CN115440708A
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 陳世偉;劉醇鴻;劉家宏;蔡豪益
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L23/31;H01L21/56;H01L25/065;H01L25/18
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;王琳

1.一種組件管芯，包括：

第一半導體管芯；

第二半導體管芯，堆棧在所述第一半導體管芯上且與所述第一半導體管芯電性連接；

抗電弧層，與所述第二半導體管芯接觸；以及

第一絕緣包封體，設置在所述第一半導體管芯上且側向地包封所述第二半導體管芯。

2.如權利要求1所述的組件管芯，其中所述抗電弧層與所述第二半導體管芯的側壁接觸，且所述第二半導體管芯借由與所述抗電弧層與所述第一絕緣包封體分隔。

3.如權利要求1所述的組件管芯，其中所述抗電弧層包括：

第一部分，覆蓋所述第二半導體管芯的側壁，其中所述第二半導體管芯借由所述第一部分與所述第一絕緣包封體分隔；以及

第二部分，設置在所述第一半導體管芯與所述第一絕緣包封體之間，其中所述第一半導體管芯借由所述第二部分與所述第一絕緣包封體分隔。

4.如權利要求3所述的組件管芯，其中所述第一部分的頂端與所述第一絕緣包封體的頂面以及所述第二半導體管芯的背面實質上對齊。

5.如權利要求3所述的組件管芯，其中所述抗電弧層的所述第二部分包括內端以及與所述內端相對的外端，所述第二部分的所述內端連接到所述第一部分的底端，且所述第二部分的所述外端與所述第一絕緣包封體的側壁實質上對齊。

6.如權利要求1所述的組件管芯，其中，進一步包括：第二絕緣包封體，側向地包封所述第一半導體管芯，其中所述第二絕緣包封體的側壁與所述第一絕緣包封體的側壁實質上對齊。

7.一種組件管芯的制造方法，所述方法包括：

透過形成在頂層半導體管芯的正面上的第一接合結構以及形成在底層半導體管芯的背面上的第二接合結構，使所述頂層半導體管芯與所述底層半導體管芯接合；

形成抗電弧材料層，以覆蓋所述頂層半導體管芯的側壁、所述頂層半導體管芯的背面以及所述底層半導體管芯的所述背面；

在所述抗電弧材料層上形成絕緣材料；以及

部分去除所述絕緣材料以及所述抗電弧材料層，直到所述頂層半導體管芯的所述背面被顯露出來，從而形成絕緣包封體與抗電弧層，其中所述絕緣包封體被形成在所述第一半導體管芯上并且側向地包封所述第二半導體管芯，且所述抗電弧層被形成以覆蓋所述頂層半導體管芯的所述側壁以及所述底層半導體管芯的所述背面。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述抗電弧材料層是共形地沉積以覆蓋所述頂層半導體管芯的所述側壁、所述頂層半導體管芯的所述背面以及所述底層半導體管芯的所述背面。

9.一種組件管芯的制造方法，所述方法包括：

透過形成在頂層半導體管芯的正面上的第一接合結構以及形成在底層半導體管芯的背面上的第二接合結構將所述底層半導體管芯與所述頂層半導體管芯接合；

形成絕緣包封體以側向地包封所述頂層半導體管芯；以及

形成抗電弧材料層以覆蓋所述頂層半導體管芯以及所述絕緣包封體。

10.如權利要求9所述的方法，其中，進一步包括：

將所述抗電弧材料層與載體接合；

在所述底層半導體管芯的正面上形成導電端子；以及

在形成所述導電端子之后，使所述載體從所述抗電弧材料層剝離。