[發明專利]半導體裝置在審

申請號：	202210956768.0	申請日：	2022-08-10
公開（公告）號：	CN115566070A	公開（公告）日：	2023-01-03
發明（設計）人：	陳維寧;蔡邦彥	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L29/78	分類號：	H01L29/78
代理公司：	隆天知識產權代理有限公司 72003	代理人：	閆華
地址：	中國臺***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體裝置
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【說明書】：

本發明實施例提出一種半導體裝置，半導體裝置具有厚度實質上一致的無晶面外延結構。半導體裝置包括鰭狀結構位于基板上。鰭狀結構包括鰭狀物底部與鰭狀物頂部。鰭狀物底部的上表面比鰭狀物頂部的下表面寬。半導體裝置還包括介電層位于鰭狀物頂部上；非晶層位于介電層上；以及外延層。外延層位于非晶層的上表面、非晶層的側壁表面、介電層、鰭狀物頂部、與鰭狀物底部的上表面之上。

技術領域

本發明實施例涉及半導體裝置，尤其涉及厚度實質上一致的無晶面源極/漏極外延結構。

背景技術

隨著半導體技術進展，對更高的儲存能力、更快的處理系統、更高效能、與更低成本的需求也增加。為了符合這些需求，半導體產業持續縮小半導體裝置(比如金屬氧化物半導體場效晶體管，其含有平面金屬氧化物半導體場效晶體管與鰭狀場效晶體管)的尺寸。尺寸縮小亦增加半導體制造工藝的復雜度。

發明內容

在一些實施例中，半導體裝置包括鰭狀結構位于基板上。鰭狀結構包括鰭狀物底部與鰭狀物頂部，且鰭狀物底部的上表面比鰭狀物頂部的下表面寬。半導體裝置還包括介電層位于鰭狀物頂部上；非晶層位于介電層上；以及外延層，位于非晶層的上表面、非晶層的側壁表面、介電層、鰭狀物頂部、與鰭狀物底部的上表面之上。

在一些實施例中，半導體裝置包括：鰭狀結構位于基板上，以及隔離結構位于基板上并與鰭狀結構相鄰。鰭狀結構包括鰭狀物底部與鰭狀物頂部。隔離結構的上表面與鰭狀物底部的上表面共平面。半導體裝置還包括介電層位于鰭狀物頂部上；非晶層位于介電層上；以及外延層位于非晶層的上表面、非晶層的側壁表面、介電層、鰭狀物頂部、與鰭狀物底部的上表面之上。

在一些實施例中，半導體裝置的形成方法包括形成介電層于基板上；形成非晶層于介電層上；以及形成鰭狀結構于基板上。介電層與非晶層位于鰭狀結構上。方法還包括移除非晶層的一部分、介電層的一部分、與鰭狀結構的一部分，以露出鰭狀結構的底部的上表面。

附圖說明

圖1為一些實施例中，具有無晶面外延結構的半導體裝置的等角圖。

圖2至圖5為一些實施例中，具有無晶面外延結構的半導體裝置的部分剖視圖。

圖6為一些實施例中，制作具有無晶面結構的半導體裝置的方法的流程圖。

圖7至圖12為一些實施例中，具有無晶面結構的半導體裝置于多種制作階段的剖視圖。

圖13為一些實施例中，制作具有無晶面結構的半導體裝置的另一方法的流程圖。

圖14至圖22為一些實施例中，具有無晶面結構的另一半導體裝置于多種制作階段的剖視圖。

圖23為一些實施例中，制作具有無晶面結構的半導體裝置的又一方法的流程圖。

圖24至圖29、圖30A至圖33A、圖30B至圖33B及圖30C至圖33C為一些實施例中，具有無晶面結構的又一半導體裝置于多種制作階段的剖視圖。

附圖標記如下：

A-A,B-B,C-C:剖線