[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210956768.0 | 申請(qǐng)日： | 2022-08-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115566070A | 公開（公告）日： | 2023-01-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳維寧;蔡邦彥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 閆華 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
一鰭狀結(jié)構(gòu)，位于一基板上，其中該鰭狀結(jié)構(gòu)包括一鰭狀物底部與一鰭狀物頂部，且其中該鰭狀物底部的上表面比該鰭狀物頂部的下表面寬；
一介電層，位于該鰭狀物頂部上；
一非晶層，位于該介電層上；以及
一外延層，位于該非晶層的上表面、該非晶層的側(cè)壁表面、該介電層、該鰭狀物頂部與該鰭狀物底部的上表面之上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
