[發明專利]一種勻氣板及鍍膜裝置

在審

• 申請號: 202210946690.4
• 申請日: 2022-08-09
• 公開（公告）號: CN115125520A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 吳國發;周鐵;羅騫;劉自然;何嵩;王慧勇
• 申請（專利權）人: 季華恒一（佛山）半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超

本申請涉及半導體制造領域，具體而言，涉及一種勻氣板及鍍膜裝置，本申請提出的勻氣板，用于導出均勻的氣體以進行等離子體鍍膜，勻氣板具有多個擴散孔，擴散孔排氣端均勻分布在勻氣板的下端面，擴散孔通過束流孔與導流孔連通，導流孔的進氣端分布在勻氣板的上端面，且勻氣板上端面的中心區域的導流孔比外周區域的導流孔密集，本申請通過上述設計，使從勻氣板底部各處排出的氣體流量平均，從而提高鍍膜的均勻性。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體而言，涉及一種勻氣板及鍍膜裝置。

背景技術

CVD是一種利用化學反應，將反應物（氣體）生成固態物質，并沉積在基片表面的薄膜沉積技術，PECVD是等離子增強CVD設備，其薄膜制備過程是一個相當復雜的過程，由于PECVD鍍膜具有良好的均勻性和可重復性，可大面積成膜，且薄膜成分和厚度易于控制，是目前應用最廣泛的類型，勻氣板作為PECVD鍍膜的重要結構，其主要功能是實現均勻排氣然后實現均勻鍍膜。

現有的勻氣板主要是一整塊多孔結構的金屬板，勻氣板上均勻排布有多個氣孔，而現有的勻氣板在進行鍍膜時，從勻氣板邊緣區域排出的反應氣體的流量會小于從勻氣板中心區域排出的反應氣體的流量，從而導致PECVD鍍膜的均勻性不足。

針對上述問題，目前尚未有有效的技術解決方案。

發明內容

本申請的目的在于提供一種勻氣板及鍍膜裝置，旨在解決沉積過程中勻氣板邊緣的氣體流量小于中間的氣體流量從而導致鍍膜均勻性差的問題。

第一方面，本申請提供了一種勻氣板，用于導出均勻的氣體以進行等離子體鍍膜，勻氣板具有多個擴散孔，擴散孔排氣端均勻分布在勻氣板的下端面，擴散孔通過束流孔與導流孔連通，導流孔的進氣端分布在勻氣板的上端面，且勻氣板上端面的中心區域的導流孔比外周區域的導流孔密集。

本申請提供的一種勻氣板，在勻氣板底部均勻分布了多個擴散孔，使反應氣體均勻從勻氣板底部吹出，擴散孔通過束流孔與導流孔進行連通，使勻氣板上方吹入的反應氣體通過導流孔、束流孔以及擴散孔排出勻氣板，由于反應氣體從勻氣板上方吹向勻氣板靠近中心的部分，靠近勻氣板中心部分排出的反應氣體的流量較大，因此本申請設置導流孔的進氣端分布在勻氣板的上端面，且勻氣板上端面的中心區域的導流孔比外周區域的導流孔密集，使從勻氣板底部各處排出的氣體流量平均，從而提高鍍膜的均勻性。

可選地，本申請提供的一種勻氣板，位于勻氣板外周區域的束流孔的孔徑大于位于勻氣板中心區域的束流孔的孔徑。

本申請通過設置勻氣板外周區域的束流孔的孔徑大于勻氣板中心區域的束流孔，使反應氣體在通過勻氣板外周的束流孔的流量大于通過勻氣板中心的流量，從而平衡從勻氣板底部各處排出的反應氣體流量。

可選地，本申請提供的一種勻氣板，導流孔的進氣端朝勻氣板中心傾斜設置，且位于勻氣板的中心區域的導流孔的傾斜角度大于位于勻氣板外周區域的導流孔的傾斜角度。

本申請通過導流孔的傾斜設置，使勻氣板頂部（即上端面）的導流孔在中心區域較稀疏，在外周區域較密集，從而增加反應氣體從勻氣板外周區域進入勻氣板的氣體流量，從而平均從勻氣板底部各處排出的反應氣體流量。

可選地，本申請提供的一種勻氣板，擴散孔為錐形孔，且所有擴散孔的錐度相同。

可選地，本申請提供的一種勻氣板，導流孔與束流孔通過變徑過渡孔連通。

可選地，本申請提供的一種勻氣板，位于勻氣板外周區域的束流孔的長度小于位于勻氣板中心區域的束流孔長度，位于勻氣板外周區域的擴散孔的長度大于位于勻氣板中心區域的擴散孔的長度。