[發明專利]一種晶圓針壓測試方法及系統

在審

• 申請號: 202210946357.3
• 申請日: 2022-08-08
• 公開（公告）號: CN115376949A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 王帆;周鑫;黃華
• 申請（專利權）人: 西安紫光國芯半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 劉芬芬

本申請公開了一種晶圓針壓測試方法及系統，該晶圓針壓測試方法包括：獲取晶圓的整體翹曲度以及晶圓的針壓數據，晶圓的整體翹曲度表征晶圓與探針接觸的表面的高度；基于整體翹曲度以及晶圓的針壓數據控制晶圓向探針移動的移動距離，以對晶圓進行針壓測試。本申請通過獲取晶圓的整體翹曲度以及晶圓的針壓數據，并基于整體翹曲度以及晶圓的針壓數據控制晶圓向探針移動的移動距離，以對晶圓進行針壓測試，使得晶圓的每個測試點在進行針壓測試時的移動距離不同，避免使用同一針壓值測試三維集成晶圓導致出現接觸不良或扎穿芯片金屬引腳的問題。

技術領域

本申請涉及晶圓針壓測試技術領域，特別是涉及一種晶圓針壓測試方法及系統。

背景技術

3DIC DRAM是邏輯晶圓和存儲晶圓通過鍵合工藝實現的工藝制程，為了達到最佳鍵合效果，邏輯晶圓和存儲晶圓都對晶圓的翹曲度有要求，因此3DIC鍵合制造的DRAM晶圓平整度較差。同時由于兩張晶圓的鍵合，最終晶圓需要減薄操作，減薄操作得到的晶圓的厚度一致性偏差較大。而在傳統DRAM晶圓測試針壓確定流程中，僅使用一個針壓值即可實現對整張晶圓的針壓測試，若使用傳統DRAM晶圓測試針壓方法對3DIC DRAM進行測試，則經常會出現接觸測試問題，例如探針與晶圓接觸不良，或者探針扎穿芯片金屬引腳的問題。

發明內容

本申請至少提供一種晶圓針壓測試方法及系統，以解決使用傳統DRAM晶圓測試針壓方法對3DIC DRAM進行測試所帶來的接觸測試問題。

本申請第一方面提供了一種晶圓針壓測試方法，該晶圓針壓測試方法包括：

獲取晶圓的整體翹曲度以及晶圓的針壓數據，晶圓的整體翹曲度表征晶圓與探針接觸的表面的高度；

基于整體翹曲度以及晶圓的針壓數據控制晶圓向探針移動的移動距離，以對晶圓進行針壓測試。

可選地，該方法還包括：

控制晶圓向探針移動第一預設距離，以利用探針測試晶圓的參考點的針壓數據；晶圓的參考點的針壓數據為晶圓的針壓數據。

可選地，基于整體翹曲度以及晶圓的針壓數據控制晶圓向探針移動的移動距離，以對晶圓進行針壓測試的步驟，包括：

響應于晶圓與探針接觸的表面中探測點的高度大于晶圓的中心點的高度，控制晶圓向探針移動第二預設距離，以對晶圓進行針壓測試，得到測試結果；

響應于晶圓與探針接觸的表面中探測點的高度小于中心點的高度，控制晶圓向探針移動第三預設距離，以對晶圓進行針壓測試，得到測試結果；

其中，第二預設距離小于第一預設距離，第三預設距離大于第一預設距離，且移動第二預設距離和/或移動第三預設距離后，探測點的針壓數據與晶圓的中心點的針壓數據匹配。

可選地，該方法還包括：

將測試結果中的電信號與預設電信號進行比較；

響應于測試結果中的電信號與預設電信號不匹配，基于測試結果中的針壓數據和晶圓的參考點的針壓數據調整晶圓向探針移動的距離，以重新對晶圓進行測試。

可選地，基于測試結果中的針壓數據和晶圓的參考點的針壓數據調整晶圓向探針移動的距離的步驟，包括：

獲取標準參數表；其中，標準參數表用于標定晶圓產生不同電信號對應的針壓數據；

基于標準參數表獲取與測試結果中的電信號對應的第一針壓數據；

基于第一針壓數據與晶圓的參考點的針壓數據調整晶圓向探針移動的距離。

可選地，基于第一針壓數據與晶圓的參考點的針壓數據調整晶圓向探針移動的距離的步驟，包括：