[發明專利]一種晶圓針壓測試方法及系統在審
| 申請號: | 202210946357.3 | 申請日: | 2022-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN115376949A | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發明(設計)人: | 王帆;周鑫;黃華 | 申請(專利權)人: | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 劉芬芬 |
| 地址: | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓針壓 測試 方法 系統 | ||
1.一種晶圓針壓測試方法,其特征在于,包括:
獲取晶圓的整體翹曲度以及所述晶圓的針壓數據,所述晶圓的整體翹曲度表征所述晶圓與探針接觸的表面的高度;
基于所述整體翹曲度以及所述晶圓的針壓數據控制所述晶圓向所述探針移動的移動距離,以對所述晶圓進行針壓測試。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
控制所述晶圓向所述探針移動第一預設距離,以利用所述探針測試所述晶圓的參考點的針壓數據;所述晶圓的參考點的針壓數據為所述晶圓的針壓數據。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述整體翹曲度以及所述晶圓的針壓數據控制所述晶圓向所述探針移動的移動距離,以對所述晶圓進行針壓測試的步驟,包括:
響應于所述晶圓與探針接觸的表面中探測點的高度大于所述晶圓的中心點的高度,控制所述晶圓向所述探針移動第二預設距離,以對所述晶圓進行針壓測試,得到測試結果;
響應于所述晶圓與探針接觸的表面中探測點的高度小于所述中心點的高度,控制所述晶圓向所述探針移動第三預設距離,以對所述晶圓進行針壓測試,得到測試結果;
其中,所述第二預設距離小于所述第一預設距離,所述第三預設距離大于所述第一預設距離,且移動所述第二預設距離和/或移動所述第三預設距離后,所述探測點的針壓數據與所述晶圓的中心點的針壓數據匹配。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
將所述測試結果中的電信號與預設電信號進行比較;
響應于所述測試結果中的電信號與所述預設電信號不匹配,基于所述測試結果中的針壓數據和所述晶圓的參考點的針壓數據調整所述晶圓向所述探針移動的距離,以重新對所述晶圓進行測試。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于所述測試結果中的針壓數據和所述晶圓的參考點的針壓數據調整所述晶圓向所述探針移動的距離的步驟,包括:
獲取標準參數表;其中,所述標準參數表用于標定所述晶圓產生不同電信號對應的針壓數據;
基于所述標準參數表獲取與所述測試結果中的電信號對應的第一針壓數據;
基于所述第一針壓數據與所述晶圓的參考點的針壓數據調整所述晶圓向所述探針移動的距離。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述基于所述第一針壓數據與所述晶圓的參考點的針壓數據調整所述晶圓向所述探針移動的距離的步驟,包括:
響應于所述第一針壓數據大于所述晶圓的參考點的針壓數據,計算所述第一針壓數據與所述晶圓的參考點的針壓數據的第一差值;
基于所述第一差值減少所述晶圓向所述探針移動的移動距離,以使調整后的移動距離與調整前的移動距離的距離差等于所述第一差值;
響應于所述第一針壓數據小于所述晶圓的參考點的針壓數據,計算所述晶圓的參考點的針壓數據與所述第一針壓數據的第二差值;
基于所述第二差值增加所述晶圓向所述探針移動的移動距離,以使調整后的移動距離與調整前的移動距離的距離差等于所述第二差值。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述獲取晶圓的整體翹曲度的步驟,包括:
從所述晶圓的中心點至所述晶圓的邊緣區域進行掃描,以獲取從所述晶圓的中心點直線移動至所述晶圓的邊緣區域掃描的至少一個掃描軌跡;其中,所述掃描軌跡包括多個探測點,在同一所述掃描軌跡內的相鄰兩個所述探測點之間的距離相等;
獲取所述至少一個掃描軌跡的每個探測點與所述晶圓的中心點的高度差;
擬合所有所述探測點與所述晶圓的中心點的高度差,得到所述晶圓的整體翹曲度。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





