[發(fā)明專利]一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210930646.4 | 申請日: | 2022-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN115308986A | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 謝才興;饒奮劍 | 申請(專利權)人: | 江蘇軟訊科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/72 | 分類號: | G03F1/72 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 馬曉敏 |
| 地址: | 213017 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 工藝 曝光 掩膜版 修復 方法 | ||
1.一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)采用CCD系統(tǒng)對掩膜版定期檢測缺陷情況,并定位缺陷位置,根據(jù)缺陷的大小狀況,采用0.1-0.3mm不同規(guī)格的金屬工具針蘸取阻光劑填充至對應缺陷位置,觀察平整度和阻光性,按照平整度±5-10μm的要求以及不透光的要求,使用鋼針蘸取阻光油墨進行調整,填充完全后進行固化處理;
(2)將填充并固化處理修補后的掩膜版置于藥劑中進行超聲處理,然后采用去離子水常溫清洗,干燥后得到黃光工藝曝光用的修復后掩膜版;
其中所述藥劑的配方按照重量百分數(shù)100%計:堿性化合物1.1-1.5%、二乙二醇丁醚1-2%、余量為去離子水。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述修復方法還包括對所述修復后掩膜版進行防粘處理的步驟;所述防粘處理的過程是:將所述修復后掩模版需要與光刻材料接觸的一面貼合防粘膜后進行加壓脫泡處理,所述貼合防粘膜的壓力5-10kg/cm2,所述加壓脫泡的脫泡壓力為6-8kg、脫泡溫度30-50℃、脫泡時間15-40min;
所述防粘膜為可見光透過率超過90%的薄膜,所述防粘膜厚度不超過35μm;所述防粘膜的兩個表面分別是具有粘性的粘貼面、和不具有粘性的防粘面,所述粘貼面與掩膜版進行貼合。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述防粘膜為聚乙烯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚氨酯薄膜、硅膠薄膜、聚氯乙烯薄膜、流延聚丙烯薄膜中的一種。
4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述堿性化合物為堿金屬氫氧化物、堿金屬碳酸鹽、堿金屬碳酸氫鹽中的一種或多種。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述堿金屬氫氧化物為氫氧化鈉、氫氧化鉀;所述堿金屬碳酸鹽為碳酸鈉和/或碳酸鉀;所述堿金屬碳酸氫鹽為碳酸氫鈉和/或碳酸氫鉀。
6.根據(jù)權利要求4所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述藥劑的配方按照重量百分數(shù)100%計:氫氧化鈉1.1-1.5%、二乙二醇丁醚1-2%、余量為去離子水。
7.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述阻光劑為是能夠阻礙光透過的含金屬或非金屬的油墨或漿料。
8.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述超聲處理是在加熱條件下進行的,加熱的溫度為40-50℃、超聲時間為20-30min;常溫去離子水清洗的時間為10-30min。
9.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的一種黃光工藝曝光用的掩膜版修復方法,其特征在于,所述固化處理是將缺陷填充完全后的掩膜版置于150-180℃的環(huán)境下進行加熱固化60-90min。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





