[發(fā)明專利]具有增大元件密度的同構(gòu)管芯堆疊在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210926399.0 | 申請日: | 2022-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN115863328A | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬赫什·K·庫馬什卡爾;迪拉杰·蘇貝爾蒂;安克雷迪·納拉馬爾普;穆德·阿爾塔夫·侯賽因;阿圖爾·馬赫什瓦里 | 申請(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18;H01L23/488;H01L23/535;H01L21/50;H01L25/065;H10B41/10;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/20 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 李麗 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 增大 元件 密度 同構(gòu) 管芯 堆疊 | ||
1.一種集成電路器件,包括:
多個微凸塊;
頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯,該頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括第一可編程結(jié)構(gòu)和耦合到所述多個微凸塊的第一微凸塊接口;以及
底部可編程結(jié)構(gòu)管芯,該底部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括第二可編程結(jié)構(gòu)和第二微凸塊接口,該第二微凸塊接口經(jīng)由與所述多個微凸塊的耦合而耦合到所述第一微凸塊接口,其中所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯和所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯具有相同的設計,并且所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯和所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯被布置在三維管芯布置中,使得所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯在所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯上方被翻轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中,所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯和所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括硅通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路器件,其中,所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯的所述硅通孔不暴露于所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯的任何表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中,所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括第一輸入-輸出電路,并且所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括第二輸入-輸出電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路器件,其中,所述第二輸入-輸出電路包括電連接到所述第一輸入-輸出電路的硅通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路器件,其中,所述第二輸入-輸出電路包括未暴露于所述第一輸入-輸出電路的硅通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路器件,其中,所述第二輸入-輸出電路可操作來連接到另一電子器件,并且所述第一輸入-輸出電路不可操作來連接到另一電子器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路器件,其中,所述第一輸入-輸出電路的輸入-輸出通道經(jīng)由所述第二輸入-輸出電路被恢復以被接收。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中,所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括位于所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯的周邊的第一周邊三維接口,并且所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括在所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯的周邊處的第二周邊三維接口,該第二周邊三維接口可操作來與所述第一周邊三維接口相接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成電路器件,其中,所述第一周邊三維接口經(jīng)由一個或多個微凸塊耦合到所述第二周邊三維接口。
11.一種集成電路器件,包括:
半導體器件;
多個微凸塊;
頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯,該頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括第一可編程結(jié)構(gòu)、第一硅通孔以及第一微凸塊接口,該第一硅通孔耦合到所述半導體器件,該第一微凸塊接口耦合到所述多個微凸塊,其中,所述半導體器件耦合到所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯;以及
底部可編程結(jié)構(gòu)管芯,該底部可編程結(jié)構(gòu)管芯包括第二可編程結(jié)構(gòu)、第二硅通孔以及第二微凸塊接口,該第二硅通孔未在所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯的任何一側(cè)上暴露,該第二微凸塊接口經(jīng)由與所述多個微凸塊的耦合而與所述第一微凸塊接口耦合。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路器件,其中,所述第一硅通孔經(jīng)由焊球耦合到所述半導體器件。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路器件,其中,所述半導體器件包括印刷電路板或基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路器件,其中,所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯和所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯具有相同的設計。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路器件,所述頂部可編程結(jié)構(gòu)管芯和所述底部可編程結(jié)構(gòu)管芯被布置在倒裝芯片封裝中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





