[發(fā)明專利]基板處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210926048.X
• 申請(qǐng)日: 2022-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN115810557A
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 板谷秀治;大橋直史;越卷壽朗;松井俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;沈靜

本發(fā)明提供一種基板處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)，提供一種檢測(cè)基板的載置面的狀態(tài)的技術(shù)。基板處理裝置具有：處理室，其對(duì)基板進(jìn)行成膜處理；基板支承部，其設(shè)于所述處理室內(nèi)，并且具有載置所述基板的多個(gè)載置面；以及檢測(cè)部，其配置于所述處理室的外側(cè)或內(nèi)側(cè)，以非接觸的方式檢測(cè)附著于所述載置面的成膜材料的狀態(tài)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及基板處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)

在使用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的基板處理裝置中，一邊利用加熱器的熱對(duì)載置到載置面的基板進(jìn)行加熱，一邊進(jìn)行成膜處理(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

可是，在基板的成膜處理工序中，有時(shí)成膜材料從基板的外周繞到背面而成膜材料附著于載置面。若成膜材料如此堆積于載置面上，則有可能在基板的成膜處理中產(chǎn)生不良情況。因此，通過定期維護(hù)去除堆積于載置面上的成膜材料。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2021-44419號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種檢測(cè)基板的載置面的狀態(tài)的技術(shù)。

根據(jù)本公開的一形態(tài)，提供一種基板處理裝置，具有：處理室，其對(duì)基板進(jìn)行成膜處理；基板支承部，其設(shè)于所述處理室內(nèi)，并且具有載置所述基板的多個(gè)載置面；以及檢測(cè)部，其配置于所述處理室的外側(cè)或內(nèi)側(cè)，以非接觸的方式檢測(cè)附著于所述載置面的成膜材料的狀態(tài)。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開的一形態(tài)，能夠檢測(cè)基板的載置面的狀態(tài)。

附圖說明

圖1是本公開的第1實(shí)施方式的基板處理裝置所具備的反應(yīng)器的橫截面概略圖。

圖2是本公開的第1實(shí)施方式的基板處理裝置所具備的反應(yīng)器的縱截面概略圖，且是圖1所示的反應(yīng)器的2X-2X線剖視圖。

圖3是說明本公開的第1實(shí)施方式的基板支承機(jī)構(gòu)的說明圖。

圖4是圖1的4X-4X線剖視圖。

圖5是說明本公開的第1實(shí)施方式的原料氣體供給部的說明圖。

圖6是說明本公開的第1實(shí)施方式的反應(yīng)氣體供給部的說明圖。

圖7是說明本公開的第1實(shí)施方式的第1非活性氣體供給部的說明圖。

圖8是說明本公開的第1實(shí)施方式的第2非活性氣體供給部的說明圖。

圖9是說明本公開的第1實(shí)施方式的相機(jī)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)的說明圖。

圖10是用于說明本公開的第1實(shí)施方式的相機(jī)的拍攝區(qū)域的說明圖。

圖11是說明本公開的第1實(shí)施方式的控制器的說明圖。

圖12是說明本公開的第1實(shí)施方式的基板處理工序的流程圖。

圖13是說明本公開的第1實(shí)施方式的檢測(cè)工序的流程圖。

圖14是說明本公開的第1實(shí)施方式的維護(hù)工序的流程圖。

附圖標(biāo)記說明

100：基板處理裝置

201：處理室

209A：窗部

210：檢測(cè)部

214：基板移載機(jī)(搬送部)

217：旋轉(zhuǎn)臺(tái)(基板支承部)

300：控制器(控制部)