[發明專利]一種濾波器的制備方法

有效

• 申請號: 202210924436.4
• 申請日: 2022-08-03
• 公開（公告）號: CN115001429B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 繆建民;張金姣;王志宏
• 申請（專利權）人: 邁感微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 嚴慧

本發明公開了一種濾波器的制備方法。濾波器的制備方法包括：提供第一襯底和第二襯底；在第一襯底的表面形成單晶壓電層；在單晶壓電層背離第一襯底的表面形成第一電極；將第一電極背離單晶壓電層的表面與第二襯底鍵合；去除第一襯底；在單晶壓電層背離第一電極的表面形成第二電極。本發明的技術方案實現了用單晶壓電層制備濾波器，達到了提高濾波器信號轉換和信號傳輸的性能的效果。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種濾波器的制備方法。

背景技術

隨著5G時代的到來，濾波器市場需求急劇生長，目前4G通信時主要采用聲表面波（surface acoustic wave，SAW）濾波器，但是SAW濾波器無法支持5G的高頻段信號傳輸，需要使用薄膜體聲波諧振（film bulk acoustic resonator，FBAR）濾波器。

現有的FBAR濾波器大多采用金屬電極、壓電層和金屬電極的結構，需要在金屬電極上形成壓電層，但是在金屬電極上較難沉積單晶壓電層，難以利用單晶壓電層制備FBAR濾波器，導致FBAR濾波器的性能較差。

發明內容

本發明提供一種濾波器的制備方法，以實現可以用單晶壓電層制備濾波器，以提高濾波器的性能。

本發明實施例提供了一種濾波器的制備方法，濾波器的制備方法包括：

提供第一襯底和第二襯底；

在所述第一襯底的表面形成單晶壓電層；

在所述單晶壓電層背離所述第一襯底的表面形成第一電極；

將所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面與所述第二襯底鍵合；

去除所述第一襯底；

在所述單晶壓電層背離所述第一電極的表面形成第二電極。

可選地，在所述第一襯底的表面形成單晶壓電層包括：

在所述第一襯底的表面形成過渡層；

在所述過渡層背離所述第一襯底的表面形成單晶壓電層。

可選地，在所述單晶壓電層背離所述第一襯底的表面形成第一電極之后，還包括：

在所述第一電極和所述單晶壓電層形成至少一個溝槽，所述溝槽露出所述過渡層背離所述第一襯底的表面；

去除所述第一襯底包括：

通過所述溝槽腐蝕所述過渡層，以去除所述過渡層和所述第一襯底。

可選地，所述溝槽位于相鄰兩個濾波器振子之間；所述溝槽限定出所述濾波器振子；

或者，所述溝槽位于相鄰兩個濾波器之間，所述溝槽限定出所述濾波器。

可選地，在去除所述第一襯底之后，還包括：

去除所述過渡層。

可選地，所述過渡層包括氮化鎵層，所述單晶壓電層包括氮化鋁層；

或者，所述過渡層包括氮化鋁層，所述單晶壓電層包括氮化鎵層。

可選地，將所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面與所述第二襯底鍵合包括：

在所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面形成第一鍵合層；

在所述第二襯底的表面形成第二鍵合層；

將所述第一鍵合層與所述第二鍵合層鍵合，所述第一鍵合層背離所述第一電極的表面與所述第二鍵合層背離所述第二襯底的表面重合。

可選地，在將所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面與所述第二襯底鍵合之前，還包括：